IRFD120 Power Mosfet Transistor eléctrico ic N-Channel Power MOSFET
fabricante:
Fabricante
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Categoría:
Gestión ICs del poder
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Drain to Source Breakdown Voltage:
100 V
Drain to Gate Voltage:
100 V
Continuous Drain Current:
1.3 A
Pulsed Drain Current:
5.2 A
Maximum Power Dissipation:
1.0 W
Operating and Storage Temperature:
-55 to 150 ℃
Punto culminante:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introducción
Array
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Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
10pcs