Programa ic Chip Memory IC del transistor del Mosfet del poder de NTR2101PT1G
power mosfet ic
,silicon power transistors
Pequeño MOSFET −8.0 V, −3.7 A, solo P−Channel, SOT−23 de la señal
Características
• Tecnología principal del foso para el RDS bajo (encendido)
• −1.8 V valoró para la impulsión de la puerta de la baja tensión
• Soporte superficial SOT−23 para la pequeña huella (3 x 3 milímetros)
• El paquete de Pb−Free está disponible
Usos
• Alto interruptor lateral de la carga
• Conversión de DC−DC
• Teléfono celular, cuaderno, PDA, etc.
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (1) |
Voltaje VDSS −8.0 V de Drain−to−Source Voltaje VGS ±8.0 V de Gate−to−Source Corriente continua del dren (≤ 10 s de la nota 1) t TA = 25°C identificación −3.7 TA = 70°C −3.0 Disipación de poder (paladio 0,96 W del ≤ 10 s de la nota 1) t Dren pulsado actual tp = 10 s IDM −11 A Temperatura de funcionamiento TJ, TSTG −55 del empalme y de almacenamiento al °C 150 La corriente de fuente (diodo del cuerpo) ES −1.2 A Temperatura de la ventaja para el °C de TL 260 de los propósitos que suelda (1/8 ″ del caso para 10 s) |
PARTE DE LA ACCIÓN
Transporte. FDS9435A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
DIODO MMBD4148,215 | 300000 | 15+ | SOT23-3 | |
C.I L7805CD2T-TR | 2500 | ST | 14+ | D2PAK |
FDS6990A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
NDS9952A | 1500 | FSC | 15+ | SOP-8 |
SN65HVD485EDR | 1500 | TI | 16+ | SOP-8 |
SMBJ8.5CA | 7500 | VISHAY | 16+ | SMB |
PIC24FJ16GA004-I/PT | 1500 | MICROCHIP | 13+ | TQFP-44 |
C.I TLC072CDGNR | 5000 | TI | 05+ | MSOP-8 |
C.I SN74LS374N | 2000 | TI | 15+ | DIP-20 |
Transporte. BC817-16LT1G | 300000 | EN | 12+ | SOT-23 |
C.I TL074CN | 1000 | TI | 12+ | DIP-14 |
OPTOACOPLADOR MOC3063SM | 20000 | FSC | 14+ | SOP-6 |
TRIAC BT151-500R | 300000 | 16+ | TO-220 | |
C.I MM74HC164MX | 25000 | FSC | 05+ | SOP-14 |
C.I WS79L05 | 100000 | WS | 16+ | TO-92 |
RES RL1206FR-070R75L | 100000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
RES RC1206FR-071R5L | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
RES RC1206FR-071R2L | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
RES RL1206FR-070R68L | 1000000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
RES RC0402FR-0722KL | 3000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
RES RC0402FR-0756RL | 2000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
RES RC0402FR-0724RL | 2000000 | YAGEO | 16+ | SMD0402 |
RES RC1206JR-072ML | 500000 | YAGEO | 16+ | SMD1206 |
CASQUILLO 1206 22PF 1KV NP0 CL31C220JIFNFNE | 600000 | SAMSUNG | 16+ | SMD1206 |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
