Transistores de poder del silicio NPN de los transistores del Mosfet del poder más elevado 2SD669A
power mosfet ic
,silicon power transistors
Transistores de poder del silicio NPN 2SD669 2SD669A
DESCRIPCIÓN
·Con el paquete TO-126
·Complemento para mecanografiar 2SB649/649A
·Alto voltaje de avería VCEO: 120/160V
·1.5A de gran intensidad
·Voltaje de saturación bajo, linearidad excelente del hFE
USOS
·Para los usos de baja fricción del amplificador de potencia
Grados máximos absolutos (Ta=25℃)
SÍMBOLO | PARÁMETRO | CONDICIONES | VALOR | UNIDAD | |
VCBO | voltaje de la Colector-base | 2SD669 | Emisor abierto | 180 | V |
2SD669A | 180 | V | |||
VCEO | voltaje del Colector-emisor | 2SD669 | Base abierta | 120 | V |
2SD669A | 160 | V | |||
VEBO | voltaje de la Emisor-base | Colector abierto | 5 | V | |
IC | Corriente de colector (DC) | 1,5 | |||
ICM | Actual-pico del colector | 3 | |||
Paladio | Disipación de poder total | Ta=25℃ | 1 | W | |
TC =25℃ | 20 | W | |||
Tj | Temperatura de empalme | 150 | ℃ | ||
Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55~150 | ℃ |
ESQUEMA DEL PAQUETE
Oferta común (venta caliente)
Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
TIL111M | 12128 | FAIRCHILD | 16+ | DIP-6 |
TGS813 | 821 | FIGARO | 16+ | DIP-6 |
PS710A | 11988 | NEC | 15+ | DIP-6 |
S21MD4V | 7520 | SOSTENIDO | 13+ | DIP-6 |
STV2247H | 18192 | ST | 14+ | DIP-56 |
TDA9855 | 1904 | PHILIPS | 16+ | DIP-52 |
SKBPC3516 | 14738 | SEPT | 15+ | DIP-5 |
ST16C550IP | 7940 | EXAR | 16+ | DIP-40 |
UPD765AC-2 | 2750 | NEC | 15+ | DIP-40 |
SC26C92C1N | 1454 | 16+ | DIP-40 | |
PS2501-1-A | 25500 | RENESAS | 13+ | DIP-4 |
RPI-441C1 | 12436 | ROHM | 16+ | DIP-4 |
RPI-574 | 11358 | ROHM | 16+ | DIP-4 |
RPI-579N1 | 17364 | ROHM | 08+ | DIP-4 |
RPR-220 | 16400 | ROHM | 14+ | DIP-4 |
RPR359F | 15732 | ROHM | 10+ | DIP-4 |
RPR-359F | 4500 | ROHM | 16+ | DIP-4 |
S1WBS80 | 17654 | SANYO | 11+ | DIP-4 |
RS206 | 14768 | SEPT | 16+ | DIP-4 |
W08 | 81500 | SEPT | 16+ | DIP-4 |
UPD431000ACZ-70L | 12540 | NEC | 16+ | DIP-32 |
TDA4855 | 15174 | PHILIPS | 16+ | DIP-32 |
TDA9160A | 13684 | PHILIPS | 16+ | DIP-32 |
ST-1MLBR2 | 6480 | KODENSHI | 13+ | DIP-3 |
SL1021B090 | 4236 | LITTELFUS | 16+ | DIP-3 |
RE200B | 6368 | NICERA | 13+ | DIP-3 |
RE200B-P | 7904 | NICERA | 12+ | DIP-3 |
SPLLL90-3 | 521 | OSRAM | 10+ | DIP-3 |
RPM6938 | 36584 | ROHM | 06+ | DIP-3 |
RPM6938-V4 | 5972 | ROHM | 16+ | DIP-3 |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
