Mosfet de alto voltaje del poder del transistor del Mosfet del poder SPW47N60CFDFKSA1
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 600 V 46A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Drain-source breakdown voltage:
600 V
Avalanche breakdown voltage:
700 V
Gate threshold voltage:
4 V
Gate-source leakage current:
100 nA
Gate resistance:
0.62 Ω
Input capacitance:
7700 pF
Output capacitance:
2200 pF
Reverse transfer capacitance:
77 pF
Punto culminante:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introducción
Transistor de poder de SPW47N60CFD CoolMOSTM
Características
• Nueva tecnología de alto voltaje revolucionaria
• Diodo intrínseco del cuerpo de la rápido-recuperación
• Extremadamente - carga reversa baja de la recuperación
• Carga ultrabaja de la puerta
• El dv extremo /dt valoró
• Alta capacidad actual máxima
• La avalancha periódica valoró
• Calificado según JEDEC1) para los usos de la blanco
• galjanoplastia Pb-libre de la ventaja; RoHS obediente
Resumen del producto
| VDS | 600 | V |
| RDS (encendido), máximo | 0,083 | Ω |
| Identificación | 46 |
Grados máximos, en el °C de Tj =25, salvo especificación de lo contrario
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad |
| Corriente continua del dren | Identificación |
°C del TC =25 °C del TC =100 |
46 29 |
|
| Corriente pulsada1del dren) | Identificación, pulso | °C del TC =25 | 115 | |
| Energía de la avalancha, solo pulso | EAS | IDENTIFICACIÓN =10 A, VDD =50 V | 1800 | mJ |
| Energía de la avalancha, alquitrán repetidor 2), 3) | OÍDO | IDENTIFICACIÓN =20 A, VDD =50 V | 1 | mJ |
| Avalancha actual, alquitrán repetidor 2), 3) | IAR | 20 | ||
| Drene la cuesta del voltaje de la fuente | dv /dt | Identificación =46 A, VDS =480 V, °C de Tj =125 | 80 | V/ns |
| Dv reverso /dt del diodo | dv /dt | ES =46 A, VDS =480 V, °C de Tj =125 | 40 | V/ns |
| Velocidad máxima de la conmutación del diodo | di /dt | 600 | A/µs | |
| Voltaje de fuente de puerta | VGS |
estático CA (herzios de f >1) |
±20 ±30 |
V |
| Disipación de poder | Ptot | °C del TC =25 | 417 | W |
| Temperatura del funcionamiento y de almacenamiento | Tj, Tstg | -55… 150 | °C |
1) J-STD20 y JESD22
2) Anchura de pulso tp limitada por Tj, máximo
3) La avalancha repetidor causa los apagones adicionales que se pueden calcular como =EAR*f del PAV
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| TJLC-001LA1 | 9120 | ST | 15+ | RJ45 |
| RJK03B7DPA-0G-J7A | 8620 | RENESAS | 16+ | RENESAS |
| RJP30E4DPE | 7860 | RENESAS | 16+ | RENESAS |
| UPS161 | 1450 | AU | 10+ | QFP80 |
| S1D13705F00A200 | 857 | EPSON | 16+ | QFP80 |
| TDA9586H/N3/3/1809 | 1301 | 07+ | QFP80 | |
| TDA9555H/N1/3I1098 | 1205 | PHI | 05+ | QFP80 |
| UPSD3354D-40U6 | 365 | ST | 16+ | QFP80 |
| SD4002 | 992 | ALCA | 16+ | QFP64 |
| TLE6244X | 2200 | 1026+ | QFP64 | |
| STLC5046BCL | 2345 | ST | 16+ | QFP64 |
| STM32F100RBT6B | 2498 | ST | 15+ | QFP64 |
| STM32F103KBT6 | 2501 | ST | 14+ | QFP64 |
| STM32F373RCT6 | 968 | ST | 14+ | QFP64 |
| STR711FR1T6 | 1352 | ST | 16+ | QFP64 |
| STR755FR2T6 | 1247 | ST | 14+ | QFP64 |
| STV0297D | 2980 | ST | 06+ | QFP64 |
| UE06AB6 | 1724 | ST | 16+ | QFP64 |
| PT6311B | 21936 | PTC | 16+ | QFP52 |
| R5F21256SNFP | 1310 | RENESAS | 10+ | QFP52 |
| SL811HST-AXC | 1820 | CYPRESS | 16+ | QFP48 |
| VNC1L-1A | 749 | FTDI | 13+ | QFP48 |
| UPD720114GA-YEU-A | 15504 | NEC | 16+ | QFP48 |
| TDA8007BHL/C3 | 2177 | 16+ | QFP48 | |
| TDA8007BHL/C2 | 2306 | PHILIPS | 04+ | QFP48 |
| RTL8111DL-GR | 14216 | REALTEK | 16+ | QFP48 |
| RTL8111DL-VB-GR | 7776 | REALTEK | 16+ | QFP48 |
| RTL8201CL-VD-LF | 17408 | REALTEK | 14+ | QFP48 |
| RTL8211CL | 16062 | REALTEK | 11+ | QFP48 |
| STM32F101C8T6 | 3474 | ST | 16+ | QFP48 |
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MOQ:
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