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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Transistor de fines generales del npn del transistor del Mosfet del poder STP75NF75

Transistor de fines generales del npn del transistor del Mosfet del poder STP75NF75

Transistor de fines generales del npn del transistor del Mosfet del poder STP75NF75
Transistor de fines generales del npn del transistor del Mosfet del poder STP75NF75
fabricante:
Fabricante
Descripción:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Drain-source voltage:
75 V
Drain-gate voltage:
75 V
Gate-source voltage:
± 20 V
Peak diode recovery voltage slope:
12 V/ns
Single pulse avalanche energy:
700 mJ
Operating junction & Storage temperature:
-55 to 175 °C
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

STB75NF75

STP75NF75 - STP75NF75FP

Canal N 75V - 0.0095Ω - 80A - TO-220 - TO-220FP -

MOSFETdelpoderde D2PAKSTripFET™II

Características generales

Tipo VDSS RDS (encendido) Identificación
STB75NF75 75V <0>80A (1)
STP75NF75 75V <0>80A (1)
STP75NF75FP 75V <0>80A (1)

1. Corriente limitada por el paquete

■Capacidad excepcional de dv/dt

■la avalancha 100% probó

Descripción

Esta serie del MOSFET del poder realizó con STMicroelectronics que el proceso único de STripFET™ se ha diseñado específicamente para minimizar capacitancia de la entrada y la carga de la puerta. Es por lo tanto conveniente como interruptor primario en los convertidores aislados de gran eficacia, de alta frecuencia avanzados de DC-DC para las aplicaciones informáticas de las telecomunicaciones y. También se piensa para cualquier uso con requisitos bajos de la impulsión de la puerta.

Usos

■Uso que cambia

Grados máximos absolutos

Símbolo Parámetro Valor Unidad
D2PAK/TO-220 TO-220FP
VDS voltaje de la Dren-fuente (VGS = 0) 75 V
VDGR voltaje de la Dren-puerta (RGS = 20KΩ) 75 V
VGS voltaje de la Puerta-fuente ± 20 V
Identificación (1) Drene actual (continuo) en TC = 25°C 80 80
Identificación (1) Drene actual (continuo) en TC = 100°C 70 70
IDM (2) Corriente del dren (pulsada) 320 320
PTOT Disipación total en TC = 25°C 300 45 W
Reducir la capacidad normal de factor 2,0 0,3 W/°C
dv/dt (3) Cuesta máxima del voltaje de la recuperación del diodo 12 V/ns
EAS (4) Sola energía de la avalancha del pulso 700 mJ
VISO El aislamiento soporta el voltaje (RMS) de los tres lleva al disipador de calor externo (t=1s; TC =25°C) -- 2000 V

TJ

Tstg

Temperatura de empalme de funcionamiento

Temperatura de almacenamiento

 -55 a 175 °C

1. Corriente limitada por el paquete

2. Anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro

3. ≤ 80A, di/dt ≤300A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX de la DSI de VDD de Tj

4. Comenzando TJ = 25°C, identificación = 40A, VDD = 37.5V

Diagrama esquemático interno

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
STM32F102C8T6 2660 ST 13+ QFP48
STM32F102CBT6 16078 ST 11+ QFP48
STP24DP05BTR 2828 ST 16+ QFP48
TSL1018IF 4920 ST 10+ QFP48
SC56F8034V 2006 FREESCALE 16+ QFP44
SC79854-64J01 15168 MOT 16+ QFP44
UDA1355H 1895 02+ QFP44
TDA9859H/V2 3086 PHI 13+ QFP44
SAA5284GP 2759 PHILIPS 10+ QFP44
TW9900-TA1-GR 3044 INTERSIL 16+ QFP32
SY55858UHG 2294 MICREL 16+ QFP32
TDA8020HL/C2 2036 11+ QFP32
STM8AF6266TC 8784 ST 13+ QFP32
STM8AF6266TCY 5788 ST 14+ QFP32
STM8L151K4T6 29952 ST 14+ QFP32
STM8L152K6T6 2351 ST 16+ QFP32
STM8S005K6T6C 41128 ST 15+ QFP32
STM8S903K3T6CTR 21420 ST 16+ QFP32
STI5105ALC 1604 ST 16+ QFP216
SLA913FFOR 692 EPSON 10+ QFP160
STM32F405ZGT6 572 ST 16+ QFP144
S1D13506F00A200 743 EPSON 13+ QFP128
TW2866-LC1-CR 2015 INTERSIL 14+ QFP128
TW2868-LA2-CR 1586 INTERSIL 16+ QFP128
W83627HG-AW 4108 NUVOTON 13+ QFP128
RTL8110SC-GR 2972 REALTEK 16+ QFP128
RTL8204B-VC 15914 REALTEK 08+ QFP128
RTL8212-GR 1682 REALTEK 14+ QFP128
SCH5514E-NS 1829 SMSC 10+ QFP128
STV0900A 665 ST 13+ QFP128

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