2N2646 TRANSISTORES del SILICIO UNIJUNCTION que cambian el mosfet de la energía baja del mosfet del poder
power mosfet ic
,silicon power transistors
TRANSISTORES DEL SILICIO UNIJUNCTION
Los transistores planares de Unijunction del silicio tienen una estructura dando por resultado un voltaje de saturación más bajo, corriente del pico-punto y zell actual del valle tan como voltaje máximo del pulso de una base-uno mucho más alta. Además, estos dispositivos son interruptores mucho más rápidos.
El 2N2646 se piensa para los usos industriales de fines generales donde está la economía del circuito de importancia primaria, y es ideal para el uso en los circuitos de leña para los rectificadores controlados de silicio y otros usos donde se requiere una amplitud de pulso mínima garantizada. El 2N2647 se piensa para los usos donde una salida baja del emisor actual y una corriente baja del emisor del punto máximo (corriente del disparador) se requieren y también para accionar los SCR del poder más elevado.
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS Tj=125°C a menos que se indicare en forma diferente
Símbolo | Grados |
2N2646 2N2647 |
Unidad |
VB2E | Voltaje Emitter-Base2 | 30 | V |
IE | Corriente del emisor del RMS | 50 | mA |
IE * | Corriente máxima del emisor del pulso | 2 | |
VB2B | Voltaje Interbase | 35 | V |
Paladio | Disipación de potencia RMS | 300 | mW |
TJ | Temperatura de empalme | -65 a +125 | °C |
TStg | Temperatura de almacenamiento | -65 a +150 | °C |
LISTA COMÚN
36MB100A | 1629 | IR | 15+ | MÓDULO |
LM2674MX-5.0 | 1865 | NSC | 10+ | SOP-8 |
LTC1690CS8 | 6022 | LINEAR | 14+ | COMPENSACIÓN |
PMBT3904 | 780000 | 15+ | SOT-23 | |
PM10CNA060 | 200 | MITSUBISH | 09+ | MOUDLE |
B1240 | 3455 | EN | 15+ | DIP18 |
LM3403N | 2969 | NSC | 10+ | DIP-14 |
LM4050CIM3X-2.5 | 6586 | NSC | 13+ | SOT-23-3 |
PIC16LF877A-I/PT | 4698 | MICROCHIP | 16+ | QFP |
MAX4252EUA | 13500 | MÁXIMA | 15+ | MSOP |
MC33033DW | 11000 | EN | 16+ | COMPENSACIÓN |
L05172 | 1596 | ST | 15+ | HSSOP36 |
BT136S-600E | 3829 | 15+ | TO220 | |
MCP6S21-I/MS | 5560 | MICROCHIP | 16+ | MSOP |
MTD1375F | 7513 | SHINDENGE | 15+ | HSOP |
MAX3232ECAE | 11250 | MÁXIMA | 16+ | SSOP |
MD1803DFX | 5836 | ST | 16+ | TO-3P |
LM5118MH | 1743 | NSC | 11+ | TSSOP-20 |
LTC3108IGN | 6857 | LT | 16+ | SSOP |
ATTINY26L-8MU | 552 | ATMEL | 14+ | QFN-32 |
ZRA245A02 | 1200 | ZETEX | 10+ | TO-92 |
LP3855ESX-3.3 | 2263 | NSC | 14+ | TO-263 |
PIC18F25J10-I/SO | 4558 | MICROCHIP | 15+ | COMPENSACIÓN |
AU6254 | 3000 | ALCOR | 12+ | LQFP48 |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
