Transistor del canal N IGBT del silicio del transistor del Mosfet del poder RJH60F7ADPK-00#T0
Especificaciones
Collector to emitter voltage:
600 V
Gate to emitter voltage:
±30 V
Collector peak current:
180 A
Colector del emisor del diodo a la corriente de pico adelante:
100 A
Collector dissipation:
328.9 W
Junction temperature:
150 °C
Punto culminante:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introducción
RJH60F7ADPK
Transferencia de alta velocidad del poder del canal N IGBT del silicio
Características
- Colector bajo al voltaje de saturación del emisor VCE (sentado) de = tipo 1,35 V. (en IC = 50 A, VGE = 15V, TA = 25°C)
- Construido en diodo rápido de la recuperación en un paquete
- Puerta del foso y tecnología fina de la oblea
- Transferencia de alta velocidad tf de = tipo 95 ns. (en IC = 30 A, carga resistente, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, TA = 25°C)
Grados máximos absolutos (Tc = 25°C)
Artículo | Símbolo | Grados | Unidad | |
Colector al voltaje del emisor | VCES | 600 | V | |
Puerta al voltaje del emisor | VGES | ±30 | V | |
Corriente de colector | Tc = 25°C | IC | 90 | |
Tc = 100°C | IC | 50 | ||
Corriente máxima del colector | ic (pico) Note1 | 180 | ||
Colector del emisor del diodo a la corriente de pico adelante | DF (pico) Note2 | 100 | ||
Disipación del colector | PC | 328,9 | W | |
Empalme para encajonar la impedancia termal (IGBT) | θj-c | 0,38 | °C/W | |
Empalme para encajonar la impedancia termal (diodo) | θj-c | 2,0 | °C/W | |
Temperatura de empalme | Tj | 150 | °C | |
Temperatura de almacenamiento | Tstg | – 55 a +150 | °C |
Notas: 1. anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro.
2. μs del ≤ 5 del picovatio, ≤ el 1% del ciclo de trabajo
Esquema
Oferta común (venta caliente)
Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
U2010B-MFPG3 | 6996 | ATMEL | 16+ | SOP-16 |
U2010B-MFPG3Y | 27516 | ATMEL | 14+ | SOP-16 |
U211B | 4332 | ATMEL | 16+ | SOP-16 |
S558-5999-U7-F | 15230 | BELIO | 16+ | SOP-16 |
S558-5999-Z5-F | 17540 | BELIO | 14+ | SOP-16 |
S558-5500-25-F | 14260 | BELFUSE | 16+ | SOP-16 |
TG01-0756NTR | 12753 | HALO | 04+ | SOP-16 |
TG110-S050N2 | 12084 | HALO | 15+ | SOP-16 |
TG43-1406NTR | 6264 | HALO | 13+ | SOP-16 |
SG3846DW | 29768 | LINFINITY | 13+ | SOP-16 |
TC500ACOE | 2656 | MICROCHIP | 13+ | SOP-16 |
SN74LS157DR | 11842 | MOT | 16+ | SOP-16 |
PS2501-4 | 11798 | NEC | 16+ | SOP-16 |
UPC1099GS-E2 | 17776 | NEC | 15+ | SOP-16 |
SA604AD | 9976 | 16+ | SOP-16 | |
TEA1062AT/C4 | 16528 | 08+ | SOP-16 | |
TEA1610T | 14196 | 16+ | SOP-16 | |
TEA1751LT | 33460 | 16+ | SOP-16 | |
MC14551BDR2G | 2756 | EN | 15+ | SOP-16 |
TEA1112AT/C1 | 5780 | PHILIPS | 03+ | SOP-16 |
PT2260-R4S | 15836 | PTC | 16+ | SOP-16 |
T1094NL | 8336 | PULSO | 16+ | SOP-16 |
RDA5807SP | 13334 | RDA | 16+ | SOP-16 |
PS2801-4 | 15384 | RENESAS | 16+ | SOP-16 |
PS2801-4-F3-A | 24660 | RENESAS | 14+ | SOP-16 |
PS2801C-4 | 12312 | RENESAS | 14+ | SOP-16 |
PS2845 | 2183 | RENESAS | 16+ | SOP-16 |
RT9206PS | 11424 | RICHTEK | 15+ | SOP-16 |
RT9206 | 28860 | RTCHTEK | 16+ | SOP-16 |
SI3000-C-FSR | 4640 | SILICIO | 12+ | SOP-16 |
PRODUCTOS RELACIONADOS

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
20pcs