Enviar mensaje
Hogar > productos > chips CI electrónicos > Transistor del canal N IGBT del silicio del transistor del Mosfet del poder RJH60F7ADPK-00#T0

Transistor del canal N IGBT del silicio del transistor del Mosfet del poder RJH60F7ADPK-00#T0

fabricante:
Fabricante
Descripción:
IGBT Trench 600 V 90 A 328.9 W Through Hole TO-3P
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Collector to emitter voltage:
600 V
Gate to emitter voltage:
±30 V
Collector peak current:
180 A
Colector del emisor del diodo a la corriente de pico adelante:
100 A
Collector dissipation:
328.9 W
Junction temperature:
150 °C
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

RJH60F7ADPK

Transferencia de alta velocidad del poder del canal N IGBT del silicio

Características

  • Colector bajo al voltaje de saturación del emisor VCE (sentado) de = tipo 1,35 V. (en IC = 50 A, VGE = 15V, TA = 25°C)
  • Construido en diodo rápido de la recuperación en un paquete
  • Puerta del foso y tecnología fina de la oblea
  • Transferencia de alta velocidad tf de = tipo 95 ns. (en IC = 30 A, carga resistente, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, TA = 25°C)

Grados máximos absolutos (Tc = 25°C)

Artículo Símbolo Grados Unidad
Colector al voltaje del emisor VCES 600 V
Puerta al voltaje del emisor VGES ±30 V
Corriente de colector Tc = 25°C IC 90
Tc = 100°C IC 50
Corriente máxima del colector ic (pico) Note1 180
Colector del emisor del diodo a la corriente de pico adelante DF (pico) Note2 100
Disipación del colector PC 328,9 W
Empalme para encajonar la impedancia termal (IGBT) θj-c 0,38 °C/W
Empalme para encajonar la impedancia termal (diodo) θj-c 2,0 °C/W
Temperatura de empalme Tj 150 °C
Temperatura de almacenamiento Tstg – 55 a +150 °C

Notas: 1. anchura de pulso limitada por área de funcionamiento seguro.

2. μs del ≤ 5 del picovatio, ≤ el 1% del ciclo de trabajo

Esquema

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
U2010B-MFPG3 6996 ATMEL 16+ SOP-16
U2010B-MFPG3Y 27516 ATMEL 14+ SOP-16
U211B 4332 ATMEL 16+ SOP-16
S558-5999-U7-F 15230 BELIO 16+ SOP-16
S558-5999-Z5-F 17540 BELIO 14+ SOP-16
S558-5500-25-F 14260 BELFUSE 16+ SOP-16
TG01-0756NTR 12753 HALO 04+ SOP-16
TG110-S050N2 12084 HALO 15+ SOP-16
TG43-1406NTR 6264 HALO 13+ SOP-16
SG3846DW 29768 LINFINITY 13+ SOP-16
TC500ACOE 2656 MICROCHIP 13+ SOP-16
SN74LS157DR 11842 MOT 16+ SOP-16
PS2501-4 11798 NEC 16+ SOP-16
UPC1099GS-E2 17776 NEC 15+ SOP-16
SA604AD 9976 16+ SOP-16
TEA1062AT/C4 16528 08+ SOP-16
TEA1610T 14196 16+ SOP-16
TEA1751LT 33460 16+ SOP-16
MC14551BDR2G 2756 EN 15+ SOP-16
TEA1112AT/C1 5780 PHILIPS 03+ SOP-16
PT2260-R4S 15836 PTC 16+ SOP-16
T1094NL 8336 PULSO 16+ SOP-16
RDA5807SP 13334 RDA 16+ SOP-16
PS2801-4 15384 RENESAS 16+ SOP-16
PS2801-4-F3-A 24660 RENESAS 14+ SOP-16
PS2801C-4 12312 RENESAS 14+ SOP-16
PS2845 2183 RENESAS 16+ SOP-16
RT9206PS 11424 RICHTEK 15+ SOP-16
RT9206 28860 RTCHTEK 16+ SOP-16
SI3000-C-FSR 4640 SILICIO 12+ SOP-16

PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123  de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
20pcs