PBSS4112PANP, 115 transistor bajo del transistor NPN/NPN VCEsat (BISS) del Mosfet del poder
multi emitter transistor
,silicon power transistors
PBSS4112PAN
120 V, 1 un transistor bajo de NPN/NPN VCEsat (BISS)
Descripción general
Brecha baja de NPN/NPN VCEsat en pequeño transistor de la señal (BISS) en un paquete plástico Superficie-montado medio sin plomo del dispositivo del poder DFN2020-6 (SOT1118) (SMD). Complemento de NPN/PNP: PBSS4112PANP. Complemento de PNP/PNP: PBSS5112PAP.
Características y ventajas
• Voltaje de saturación bajo mismo del colector-emisor VCEsat
• Alta capacidad IC e ICM de la corriente de colector
• Alto hFE del aumento actual de colector en alto IC
• Requisitos reducidos del tablero del circuito impreso (PWB)
• Alto rendimiento energético debido a menos generación de calor
• AEC-Q101 calificó
Usos
• Interruptor de la carga
• dispositivos Batería-conducidos
• Gestión del poder
• Circuitos de carga
• Interruptores (e.g motores, fans)
Valores límites
De acuerdo con el sistema de calificación máximo absoluto (IEC 60134).
| Símbolo | Parámetro | Condiciones | Minuto | Máximo | Unidad | |
| Por el transistor | ||||||
| VCBO | voltaje de la colector-base | emisor abierto | - | 120 | V | |
| VCEO | voltaje del colector-emisor | base abierta | - | 120 | V | |
| VEBO | voltaje de la emisor-base | colector abierto | - | 7 | V | |
| IC | corriente de colector | - | 1 | |||
| ICM | corriente de colector máxima | solo pulso; ms del ≤ 1 del tp | - | 1,5 | ||
| IB | corriente baja | - | 0,3 | |||
| IBM | corriente baja máxima | solo pulso; ms del ≤ 1 del tp | - | 1 | ||
| Ptot | disipación de poder total | °C del ≤ 25 de Tamb |
[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] |
- - - - - - - - |
370 570 530 700 450 760 700 1450 |
mW mW mW mW mW mW mW mW |
| Por el dispositivo | ||||||
| Ptot | disipación de poder total | °C del ≤ 25 de Tamb |
[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] |
- - - - - - - - |
510 780 730 960 620 1040 960 2000 |
mW mW mW mW mW mW mW mW |
| Tj | temperatura de empalme | - | 150 | °C | ||
| Tamb | temperatura ambiente | -55 | 150 | °C | ||
| Tstg | temperatura de almacenamiento | -65 | 150 | °C | ||
[1] dispositivo montado en un PWB FR4, huellas de cobre de un sólo lado de la línea de tira de 35 µm, estañado y estándar.
dispositivo montado en un PWB FR4, línea de tira de cobre de un sólo lado de 35 µm, estañada, postizo [de 2] de montaje para el colector 1 cm2.
dispositivo [de 3] montado en 4 la huella de cobre de la línea de tira del µm del PWB 35 de la capa, estañado y estándar.
dispositivo [de 4] montado en 4 la línea de tira de cobre del µm del PWB 35 de la capa, estañada, postizo de montaje para el colector 1 cm2.
dispositivo [de 5] montado en un PWB FR4, huellas de cobre de un sólo lado de la línea de tira de 70 µm, estañado y estándar.
dispositivo montado en un PWB FR4, línea de tira de cobre de un sólo lado de 70 µm, estañada, postizo [de 6] de montaje para el colector 1 cm2.
dispositivo [de 7] montado en 4 la huella de cobre de la línea de tira del µm del PWB 70 de la capa, estañado y estándar.
dispositivo [de 8] montado en 4 la línea de tira de cobre del µm del PWB 70 de la capa, estañada, postizo de montaje para el colector 1 cm2.
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| SGM8922AYS8 | 5140 | SGM | 10+ | SOP-8 |
| SGM9119YS8 | 17690 | SGMICRO | 16+ | SOP-8 |
| SLG505YC256CT | 2330 | SILEGO | 14+ | SOP-8 |
| SI4416DY-T1-E3 | 17708 | SILICONIX | 05+ | SOP-8 |
| SP3072EEN-L/TR | 38004 | SIPEX | 13+ | SOP-8 |
| SP485RCN-L | 14724 | SIPEX | 13+ | SOP-8 |
| SP485REN-L | 46500 | SIPEX | 16+ | SOP-8 |
| SP708SEN | 8240 | SIPEX | 16+ | SOP-8 |
| SM7523B | 47500 | SM | 16+ | SOP-8 |
| S25FL040A0LVFI003R | 38856 | SPANSION | 16+ | SOP-8 |
| S25FL164K0XMFI011 | 29532 | SPANSION | 15+ | SOP-8 |
| SST25LF020A-33-4C-SAE | 39140 | SST | 12+ | SOP-8 |
| SST25VF016B-50-4C-S2AF | 7084 | SST | 14+ | SOP-8 |
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | 12564 | SST | 14+ | SOP-8 |
| SST25VF020-20-4I-SAE | 8532 | SST | 11+ | SOP-8 |
| SST25VF032B-80-4I-S2AF | 10142 | SST | 16+ | SOP-8 |
| SST25VF080B-50-4C-S2AF | 19348 | SST | 10+ | SOP-8 |
| SST25VF080B-80-4I-S2AF | 12578 | SST | 16+ | SOP-8 |
| SSRP130B1 | 39992 | ST | 13+ | SOP-8 |
| ST1S10PHR | 5256 | ST | 16+ | SOP-8 |
| ST3485EBDR | 14900 | ST | 10+ | SOP-8 |
| ST485EBDR | 31000 | ST | 16+ | SOP-8 |
| ST922I | 40276 | ST | 16+ | SOP-8 |
| STM704SM6F | 6004 | ST | 16+ | SOP-8 |
| STS8DNF3LL | 14592 | ST | 04+ | SOP-8 |
| STS8DNH3LL | 17320 | ST | 10+ | SOP-8 |
| TDA2822D013TR | 17298 | ST | 09+ | SOP-8 |
| TJM4558CDT | 111000 | ST | 16+ | SOP-8 |
| TL061CDR | 15170 | ST | 16+ | SOP-8 |
| TL072CDR | 17186 | ST | 16+ | SOP-8 |
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
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