Circuito de Integared del proveedor de IC China del chip CI de la electrónica del transistor del Mosfet del poder 30EPH03PBF
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Rectificador ultrarrápido, 30 un FRED PtTM
CARACTERÍSTICAS
• Tiempo de recuperación ultrarrápido
• Caída de voltaje delantera baja
• Corriente baja de la salida
• temperatura de empalme de funcionamiento de 175 °C
• Ventaja (Pb) - libre (sufijo de “PbF”)
• Diseñado y calificado para el nivel industrial
DESCRIPTION/APPLICATIONS
300 series de V son los rectificadores ultrarrápidos avanzados de la recuperación diseñados con funcionamiento optimizado de la caída de voltaje delantera y del tiempo de recuperación ultrarrápido. La estructura planar y el platino doparon garantía del control de tiempo de la vida las mejores características totales del funcionamiento, la aspereza y de la confiabilidad. Estos dispositivos se piensan para el uso en la etapa de la rectificación de la salida de SMPS, de UPS, de los convertidores de DC-a-DC así como de los diodos que andan sin embragar en inversores de la baja tensión e impulsiones del motor del interruptor. Su carga almacenada extremadamente optimizada y corriente baja de la recuperación minimizan las pérdidas que cambian y reducir sobre la disipación en el elemento que cambia y los tambores de frenaje.
Una parte de la lista común
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| RES 2010 330R el 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| RES 2010 68K el 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | SOSTENIDO | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORTE LOS 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
| CASQUILLO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| CASQUILLO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CACEROLA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| CASQUILLO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| CASQUILLO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| CASQUILLO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L el 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CASO 0805RC0805JR-073K3L del RES 3K3 el 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
| CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Grados máximos absolutos
Tj = 25C
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unión |
| Dren-fuente voltage3 | 300 | V | |
| voltaje de la Puerta-fuente | VGSS | ±30 | V |
| Corriente del dren de DC | Identificación | 8 | |
| Drene la disipación de poder | Paladio | 32 | |
| Temperatura de empalme | Tch | 150 | °C |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | -55 a +150 | °C |
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