Mosfet audio del poder IRFR224, poder más elevado superficial del mosfet del poder del smd del soporte
multi emitter transistor
,silicon power transistors
LISTA COMÚN
| BD135 | 5000 | PH | 12+ | TO-126 |
| BT151-800R | 5000 | 16+ | TO-220 | |
| BT152-800R | 5000 | 12+ | TO-220 | |
| BTS410E2 | 5000 | 16+ | TO-263220 | |
| BYM11-800 | 5000 | VISHAY | 16+ | DO-213AB |
| CA3140 | 5000 | INTERSIL | 16+ | SOP8 |
| DS2432P | 5000 | MÁXIMA | 16+ | SOJ6 |
| ERJ-3EKF3000V | 5000 | Panasonic | 16+ | SMD |
| ERJ-3EKF8062V | 5000 | panasonic | 14+ | SMD |
| HCPL-7800 | 5000 | AVAGO | 16+ | DIP/SOP |
| HEF4046BP | 5000 | 16+ | INMERSIÓN | |
| HIN202ECBNZ | 5000 | INTERSIL | 15+ | SOP16 |
| ICL7660CBAZ | 5000 | INTERSIL | 16+ | SOP-8 |
| IP101A | 5000 | ICPLUS | 15+ | QFP |
| IR2112 | 5000 | IR | 12+ | DIP-14 |
| IRFB41N15D | 5000 | IR | 16+ | TO-220 |
| KBPC3506 | 5000 | SEPT | 12+ | KBPC |
| KBU808 | 5000 | SEPT | 16+ | KBU-4 |
| L9144 | 5000 | ST | 16+ | SOP-20 |
| L9700D | 5000 | ST | 16+ | SOP8 |
| LM1117MPX-3.3 | 5000 | NS | 16+ | SOT223 |
| LM1876TF | 5000 | NS | 16+ | CREMALLERA |
| LM2904DR | 5000 | TI | 14+ | SOP-8 |
| LM2936Z-5.0 | 5000 | NSC | 16+ | TO-92 |
| LM2940CT-5 | 5000 | NS | 16+ | TO-220 |
| LM311DR | 5000 | TI | 15+ | SOP-8 |
| LM318M | 5000 | NS | 16+ | SOP8 |
| LM741H | 5000 | NS | 15+ | CAN8 |
| LMH6624MA | 5000 | NS | 12+ | SOP8 |
| LP2980IM5X-5.0 | 5000 | NS | 16+ | SOT-153 |
| M908Q4CPE | 5000 | FREESCAL | 12+ | DIP8 |
| M95256-WMW6 | 5000 | ST | 16+ | SOP-8 |
| MAX1487ESA | 5000 | MÁXIMA | 16+ | COMPENSACIÓN |
| MAX489CPD | 5000 | MÁXIMA | 16+ | INMERSIÓN |
| MB3759PF-G-BND-JN-ERE1 | 5000 | FUJITU | 16+ | COMPENSACIÓN |
| MBR20100CT | 5000 | EN | 16+ | TO-220 |
| MBRB2060CT | 5000 | EN | 14+ | TO-263 |
| MC34064D-5R2G | 5000 | EN | 16+ | SOP8 |
| MCP810T-485I/TT | 5000 | MICROCHIP | 16+ | COMPENSACIÓN |
| MOC3021 | 5000 | FAIRCHILD | 15+ | SMD6 |
| MPSA18 | 5000 | EN | 16+ | TO-92 |
IRFR224
Mosfet audio del poder del smd del mosfet del poder del MOSFET del poder
CARACTERÍSTICAS
• Grado dinámico de dV/dt
• Avalancha repetidor clasificada
• Soporte superficial (IRFR224/SiHFR224)
• Ventaja recta (IRFU224/SiHFU224)
• Disponible en cinta y carrete
• Transferencia rápida
• Facilidad de ser paralelo a
• Ventaja (Pb) - disponible libre
DESCRIPCIÓN
Forma Vishay de los MOSFETs del poder de la tercera generación proveer del diseñador la mejor combinación de transferencia rápida, de diseño construido sólidamente del dispositivo, de en-resistencia baja y de rentabilidad. El DPAK se diseña para el montaje superficial usando fase de vapor, infrarrojo, o técnicas del solderig de la onda. La versión recta de la ventaja (serie de IRFU/SiHFU) está para el por-agujero que monta usos. Los niveles hasta 1,5 W de la disipación de poder son posibles en soporte superficial típico
usos.
AOZ1021AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original
AOZ1210AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original
TNY274GN ALCANZAS NUEVAS y originales
| Imagen | parte # | Descripción | |
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AOZ1021AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 3A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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AOZ1210AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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TNY274GN ALCANZAS NUEVAS y originales |
Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
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