Transistores del mosfet del poder más elevado del transistor del Mosfet del poder de IRF7240TRPBF
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Oferta común (venta caliente)
Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
NDT456P | 5000 | FAIRCHILD | 16+ | SOP8 |
OB2268CCPA | 5000 | OB | 16+ | SOP8 |
P2003EVG | 5000 | NIKOS | 13+ | SOP8 |
P6SMB27CA | 5000 | VISHAY | 15+ | SMB |
P89LPC932A1FDH | 5000 | 16+ | TSSOP | |
PC400J00000F SOP-5 | 5000 | SOSTENIDO | 16+ | SOP-5 |
PIC16C711-04/P | 5000 | MICROCHIP | 14+ | DIP-18 |
PIC16F716-I/P | 5000 | MICROCHIP | 14+ | DIP-18 |
PIC16F84A-04I/SO | 5000 | MICROCHIP | 14+ | SOP18 |
PIC16F886-I/SP | 5000 | MICROCHIP | 16+ | INMERSIÓN |
PIC18F4431-I/PT | 5000 | MICROCHIP | 16+ | TQFPQFP |
RFD15P05SM | 5000 | INTERSIL | 13+ | TO-252 |
RT8010GQW | 5000 | RICHTEK | 15+ | WDFN |
SFH6156-4 | 5000 | VISHAY | 16+ | SOP4 |
SI4880DY-T1-E3 | 5000 | VISHAT | 16+ | SOP-8 |
SLF6028T-100M1R3-PF | 5000 | TDK | 14+ | SMD |
SM15T15A | 5000 | ST | 14+ | DO-214AB |
SM6S24A | 5000 | VISHAY | 14+ | DO-218 |
SMAJ15A | 5000 | VISHAY | 16+ | SOD-214A |
SMBJ6.0A | 5000 | VISHAY | 16+ | SMB |
SMCJ54A-E3 | 5000 | VISHAY | 13+ | DO-214A |
SN74AHC123ADR | 5000 | TI | 15+ | SOP-16 |
SN74HC132N | 5000 | TI | 16+ | COMPENSACIÓN |
TI 0401 DE SN74HC148N | 5000 | TI | 16+ | SOP-16 |
ST232ABDR | 5000 | ST | 14+ | SMD |
ST232CWR | 5000 | ST | 14+ | SOP16 |
STM8S103F2P6 | 5000 | ST | 14+ | SSOP |
STP75NF75 | 5000 | ST | 16+ | TO-220 |
STTH1R06U | 5000 | ST | 16+ | SMB |
STU309D | 5000 | SAMHOP | 13+ | SOT-252 |
IRF7240PbF
¿HEXFET? MOSFET del poder
- ¿En-resistencia ultrabaja?
- ¿MOSFET del P-canal?
- ¿Soporte superficial?
- ¿Disponible en cinta y carrete?
- Sin plomo
VDSS | RDS (encendido) máximo | Identificación |
-40V | 0.015@VGS = -10V | -10.5A |
0.025@VGS = -4.5V | -8.4A |
Descripción
Estos MOSFETs del P-canal del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - la en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente para el uso en usos de la gestión de la batería y de la carga.
El SO-8 se ha modificado a través de un leadframe modificado para requisitos particulares para las características aumentadas y la capacidad termales del múltiple-dado que lo hacía ideal en una variedad de usos del poder. Con estas mejoras, los dispositivos múltiples se pueden utilizar en un uso con el espacio dramáticamente reducido del tablero. El paquete se diseña para la fase de vapor, el infrarrojo, o la técnica que suelda de la onda
¿? Grados máximos absolutos
Parámetro | Máximo. | Unidades | |
VDS | Voltaje de la fuente del dren | -40 | V |
Identificación @ TA = 25°C | Corriente continua del dren, VGS @ -10V | -10,5 | |
Identificación @ TA = 70°C | Corriente continua del dren, VGS @ -10V | -8,6 | |
IDM | Corriente pulsada del dren | -43 | |
Paladio @TA = 25°C | Disipación de poder | 2,5 | W |
Paladio @TA = 70°C | Disipación de poder | 1,6 | W |
Factor que reduce la capacidad normal linear | 20 | mW/°C | |
VGS | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ± 20 | V |
TJ, TSTG | Gama de temperaturas del empalme y de almacenamiento | -55 a + 150 | °C |
Esquema del paquete SO-8
Las dimensiones se muestran en los milímetros (las pulgadas)
Marca de la parte SO-8
EJEMPLO: ESTO ES UN IRF7101 (EL MOSFET)
Cinta SO-8 y carrete
Las dimensiones se muestran en los milímetros (las pulgadas)

AOZ1021AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original

AOZ1210AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original

TNY274GN ALCANZAS NUEVAS y originales
Imagen | parte # | Descripción | |
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AOZ1021AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 3A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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AOZ1210AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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TNY274GN ALCANZAS NUEVAS y originales |
Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
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