Enviar mensaje
Hogar > productos > chips CI electrónicos > Transistor encapsulado plástico audio del transistor PNP del Mosfet del poder del mosfet del poder 2SA950-Y

Transistor encapsulado plástico audio del transistor PNP del Mosfet del poder del mosfet del poder 2SA950-Y

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) PNP 30 V 800 mA 120MHz 600 mW a través del agujero TO-92
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Colector al voltaje bajo:
-35 V
Colector al voltaje del emisor:
-30 V
Emisor al voltaje bajo:
-5 V
Corriente de colector - continua:
-0,8 A
Disipación de poder del colector:
600 mW
Empalme, temperatura de almacenamiento:
150, °C -55~150
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introducción

2SA950

-0.8A, -35V

Transistor encapsulado plástico de PNP

CARACTERÍSTICAS

* usos de la salida 1W

* complementario a 2SC2120

CLASIFICACIÓN del hFE (1)

Producto-fila 2SA950-O 2SA950-Y
Gama 100-200 160-320

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA = 25°C salvo especificación de lo contrario)

Parámetro Símbolo Grado Unidad
Colector al voltaje bajo VCBO -35 V
Colector al voltaje del emisor VCEO -30 V
Emisor al voltaje bajo VEBO -5 V
Corriente de colector - continua IC -0,8
Disipación de poder del colector PC 600 mW
Empalme, temperatura de almacenamiento TJ, TSTG 150, -55~150 °C

TO-92

CURVA CARACTERÍSTICA

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
MSZ5234BT1G 120000 EN 16+ SOD-123
MT47H32M16HR-25E: G 2300 MICRÓN 16+ BGA
NZF220TT1 2000 EN 13+ NA
88E1111-B2-BAB1C000 380 MARVELL 15+ GBA
LTC1734ES6-4.1 3000 DESFIBRADORA 16+ SOT236
P6KE15A 20000 VISHAY 16+ DO-15
XC6SLX100-3FGG484C 305 XILINX 16+ BGA
88E1111-B2-BAB1I000 2500 MARVELL 14+ BGA
LMSZ5226BT1G 2500 EN 14+ SOD-123
TMS320F28335PGFA 1225 TI 16+ LQFP-176
PIC18F8722-I/PT 2700 MICROCHIP 16+ QFP
AD633JNZ 1200 ADI 13+ INMERSIÓN
ICL7106CPL 3000 INTERSIL 15+ INMERSIÓN
ES1D 33000 VISHAY 16+ DO-214AC
MPX5010DP 3500 FREESCAL 16+ SIP-6
LPC2368FBD100 1080 14+ QFP
AD704JN 1480 ANUNCIO 14+ INMERSIÓN
2SK682 1503 GOLPEE 14+ TO-3P
M48Z08-100PC1 1526 ST 16+ INMERSIÓN
XC3S50AN-4TQG144I 549 XILINX 16+ QFP
SI7454 1572 VISHAY 13+ QFN
2SC4116-GR 1595 TOSHIBA 15+ SOT323
TOP249YN 1618 PODER 16+ TO-220-6
ADS1232IPW 1641 TI 16+ TSSOP24
EP3C25E144C8N 1664 ALTERA 14+ TQFP
TMPN3150 1687 TOSHIBA 14+ QFP64
XC9572XL-10TQG100C 510 XILINX 14+ TQFP
MTD1375F 1733 SHINDENGE 16+ HSOP28
CMX865AD4 1756 CML 16+ SOP16
LT3756EMSE-2 1779 LT 13+ MSOP

PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123  de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
20pcs