Los circuitos integrados sensibles de la electrónica de la puerta de los triac de T410-600B-TR accionan los TRIAC del transistor 4A del Mosfet
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Serie T4
TRIAC 4A
Características principales
Símbolo | Valor | Unidad |
LAS TIC (RMS) | 4 | |
VDRM/VRRM | 600 a 800 | V |
IGT (Q1) | 5 a 35 | mA |
DESCRIPCIÓN
De acuerdo con la tecnología del nivel de Snubberless/de la lógica del ST que proporciona altos funcionamientos de la conmutación, la serie T4 es conveniente para el uso en cargas inductivas de la CA.
Se recomiendan para los usos usando los motores universales, electroválvulas…. por ejemplo equipos de la ayuda de la cocina, herramientas eléctricas, lavaplatos,… Disponible en un paquete completamente aislado, el T4… -… la versión de W cumple con los estándares de la UL (referencia. E81734).
Grados máximos absolutos
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | ||
LAS TIC (RMS) | Corriente del en-estado del RMS (onda sinusoidal completa) | IPAK/DPAK/TO-220AB | Tc = 110°C | 4 | |
ISOWATT220AB | Tc = 105°C | ||||
ITSM | Corriente máxima del en-estado de la oleada no repetidor (ciclo completo, Tj = 25°C) inicial | F = 50 herzios | t = ms 20 | 30 | |
F = 60 herzios | t = ms 16,7 | 31 | |||
² t de I | Yo valor del ² t para fundirse | tp = ms 10 | 5,1 | Un ² s | |
dI/dt | Índice crítico de subida del en-estado actual IG = 2 x IGT, ≤ 100 ns del tr | F = 120 herzios | Tj = 125°C | 50 | A/µs |
IGM | Corriente máxima de la puerta | tp = 20 µs | Tj = 125°C | 4 | |
PÁGINA (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | Disipación de poder media de la puerta | Tj = 125°C | 1 | W | |
Tstg Tj |
Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme |
- 40 a + 150 - 40 a + 125 |
°C |
Datos mecánicos del paquete de DPAK
La impresión del pie de DPAK dimensiona (en milímetros)
Datos mecánicos del paquete de ISOWATT220AB
Datos mecánicos del paquete de IPAK
Datos mecánicos del paquete de TO-220AB

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
