Enviar mensaje
Hogar > productos > chips CI electrónicos > Los circuitos integrados sensibles de la electrónica de la puerta de los triac de T410-600B-TR accionan los TRIAC del transistor 4A del Mosfet

Los circuitos integrados sensibles de la electrónica de la puerta de los triac de T410-600B-TR accionan los TRIAC del transistor 4A del Mosfet

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Lógica del TRIAC - soporte superficial sensible DPAK de la puerta 600 V 4 A
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Yo valor del ² t para fundirse:
5,1 ² s de A
Índice crítico de subida del en-estado actual IG = 2 x IGT, ≤ 100 ns del tr:
50 A/µs
Corriente máxima de la puerta:
4 A
Disipación de poder media de la puerta:
1 W
Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento:
- 40 + al °C 150
Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme:
- 40 + al °C 125
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introducción

Serie T4

TRIAC 4A

Características principales

Símbolo Valor Unidad
LAS TIC (RMS) 4
VDRM/VRRM 600 a 800 V
IGT (Q1) 5 a 35 mA

DESCRIPCIÓN

De acuerdo con la tecnología del nivel de Snubberless/de la lógica del ST que proporciona altos funcionamientos de la conmutación, la serie T4 es conveniente para el uso en cargas inductivas de la CA.

Se recomiendan para los usos usando los motores universales, electroválvulas…. por ejemplo equipos de la ayuda de la cocina, herramientas eléctricas, lavaplatos,… Disponible en un paquete completamente aislado, el T4… -… la versión de W cumple con los estándares de la UL (referencia. E81734).

Grados máximos absolutos

Símbolo Parámetro Valor Unidad
LAS TIC (RMS) Corriente del en-estado del RMS (onda sinusoidal completa) IPAK/DPAK/TO-220AB Tc = 110°C 4
ISOWATT220AB Tc = 105°C
ITSM Corriente máxima del en-estado de la oleada no repetidor (ciclo completo, Tj = 25°C) inicial F = 50 herzios t = ms 20 30
F = 60 herzios t = ms 16,7 31
² t de I Yo valor del ² t para fundirse tp = ms 10 5,1 Un ² s
dI/dt Índice crítico de subida del en-estado actual IG = 2 x IGT, ≤ 100 ns del tr F = 120 herzios Tj = 125°C 50 A/µs
IGM Corriente máxima de la puerta tp = 20 µs Tj = 125°C 4
PÁGINA (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) Disipación de poder media de la puerta Tj = 125°C 1 W

Tstg

Tj

Gama de temperaturas de empalme del almacenamiento

Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme

- 40 a + 150

- 40 a + 125

°C

Datos mecánicos del paquete de DPAK

La impresión del pie de DPAK dimensiona (en milímetros)

Datos mecánicos del paquete de ISOWATT220AB

Datos mecánicos del paquete de IPAK

Datos mecánicos del paquete de TO-220AB

PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123  de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
10pcs