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Interruptor elegante de Highside del transistor del Mosfet del poder del mosfet del poder que cambia BTS432E2

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 9A PG-TO220-5-3 del 1:1 del interruptor/del conductor
Categoría:
Gestión ICs del poder
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de fuente:
63 V
Gama de temperaturas de funcionamiento:
°C -40 a +150
Gama de temperaturas de almacenamiento:
°C -55 a +150
Disipación de poder (DC):
125W
Capacidad de la descarga electrostática (ESD) (modelo del cuerpo humano):
2,0 kilovoltios
Voltaje entrado (DC):
-0,5 a +6 V
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introducción

PROFET® BTS 432 E2

Interruptor elegante de Highside

Características

• Descarga y batería reversa protection1 de la carga)

• Abrazadera del voltaje negativo en la salida

• Protección del cortocircuito

• Limitación actual

• Cierre termal

• Reacción de diagnóstico

• Detección abierta de la carga en En-estado

• Entrada compatible del Cmos

• Protección de la descarga electrostática (ESD)

• Pérdida de tierra y pérdida de Vbb protection2)

• Protección de la sobretensión

• Cierre del Undervoltage y de la sobretensión con autorestart e histéresis

Uso

• el interruptor compatible del µC con la reacción de diagnóstico para 12 V y 24 V DC puso a tierra cargas

• Todos los tipos de cargas resistentes, inductivas y del capacitve

• Substituye las retransmisiones electromecánicas y los circuitos discretos

Resumen del producto

Descarga de VLoad 80 V

Abrazadera de la avalancha de Vbb-VOUT 58 V

Vbb (operación) 4,5… 42 V

Vbb (revés) -32 V

RON mΩ 38

IL (SCp) 44 A

IL (SCR) 35 A

IL (ISO) 11 A

Descripción general

El FET vertical del poder del canal N con la bomba de carga, tierra se refirió a la entrada compatible del Cmos y a la reacción de diagnóstico, integradas a microprocesador elegante del  de SIPMOS en tecnología del microprocesador. Abastecimiento de funciones protectoras.

Grados máximos en Tj = °C 25 salvo especificación de lo contrario

Parámetro Símbolo Valores Unidad
Voltaje de fuente Vbb 63 V

Protección VLoadDump = UA de la descarga de la carga + contra, UA = 13,5 V

RI = 2 Ω, RL = 1,1 Ω, TD = 200 ms, IN= bajo o alto

Contra 3) 66,5 V
Cargue actual IL uno mismo-limitado

Gama de temperaturas de funcionamiento

Gama de temperaturas de almacenamiento

Tj

Tstg

-40… +150

-55… +150

°C
Disipación de poder (DC) Ptot 125 W

Disipación de energía del interruptor-apagado de la carga inductiva,

solo °C del pulso Tj=150:

EAS

1,7

J

Capacidad de la descarga electrostática (ESD) (modelo del cuerpo humano) VESD 2,0 kilovoltio

Voltaje entrado (DC)

Perno directo actual de la entrada (DC)

Perno directo actual de la situación (DC)

VIN

IIN

IST

-0,5… +6

±5.0

±5.0

V

mA

Resistencia termal microprocesador - caso:

empalme - ambiente (aire libre):

Versión de SMD, dispositivo en PWB4):

RthJC

RthJA

≤ 1

≤ 75

tbd del ≤

K/W

Código del paquete y el ordenar

Todas las dimensiones en el milímetro

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Q'ty MFG D/C Paquete
A3966SLBTR 2202 ALLEGRO 14+ SOP-16
MC14504BCP 4117 EN 16+ INMERSIÓN
MM5451YV 4307 MICREL 16+ PLCC
NUD3112DMT1G 5140 EN 16+ SOT-163
NJM741M 4948 JRC 10+ COMPENSACIÓN
MFRC53001T 6100 11+ COMPENSACIÓN
PCM2704DBR 13520 TI 13+ SSOP
OPA228UA/2K5 6840 TI 16+ COMPENSACIÓN
NJM339CG-TE2 38000 JRC 16+ COMPENSACIÓN
MX29LV320ABTC-70 10500 MXIC 10+ TSOP
NDS355N 38000 FAIRCHILD 15+ SOT-23
NJU4053BV 10000 JRC 10+ TSSOP
BTA08-800CW3G 3367 ST 10+ TO-220
XC62FP3002PRN 2000 TOREX 15+ SOT-89
PIC10F222T-E/OT 9100 MICROCHIP 16+ BORRACHÍN
OP777ARZ 6320 ANUNCIO 14+ COMPENSACIÓN
PEB4264TV1.2 5850 14+ COMPENSACIÓN
LMX2335MX 3764 NSC 14+ SOP-16
PALCE16V8-25PC/4 10720 AMD 16+ INMERSIÓN
ME3220-222MLC 5974 COILCRAFT 16+ SMD
LM3674MF-ADJ 3047 NSC 15+ SOT-23-5

Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
10pcs