Transistor de efecto de campo verde del interruptor de Fairchild del modo, FSDM0465RBWDTU
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Transistor de efecto de campo verde del interruptor de Fairchild del modo, FSDM0465R
de las características
- rugoso de SenseFET de la avalancha interna
- de lanzamiento bajo de la corriente (40µA máximo)
- Bajo consumo de energía; debajo de 1W en 240VAC y 0.4W cargue el
- Funcionamiento fijo exacto
- Modulación de frecuencia del de la frecuencia (66kHz) para el bajo de la EMI
- (ajustable) limitador actual del Pulso-por-pulso
- de la protección de la sobretensión (OVP)
- de la protección contra sobrecarga (OLP)
- termal de la función del cierre (TSD)
- del modo del Auto-recomienzo
- El Debajo-voltaje se cierra hacia fuera (UVLO) con el de la histéresis
- Suave-principio incorporado (15ms)
de los usos
- SMPS para el del VCR, de SVR, de STB, del DVD, y de DVCD
- del adaptador
- SMPS para el monitor LCD
relacionado de las notas de uso
- AN-4137: Instrucción de diseño para los convertidores off-line del tiempo de retorno usando del interruptor de Fairchild (FPS)
- AN-4140: Consideración del diseño del transformador para los convertidores off-line del tiempo de retorno usando el interruptor de Fairchild
- AN-4141: Extremidades de la localización de averías y del diseño para el de los usos del tiempo de retorno del interruptor de Fairchild
- AN-4148: Técnicas audibles de la reducción del nivel de ruidos para los usos de FPS
Descripción
El FSCM0465R es un modulador integrado de la anchura de impulso (PWM) y SenseFET diseñado específicamente para las fuentes de alimentación off-line de alto rendimiento del modo del interruptor (SMPS) con los componentes externos mínimos. Este dispositivo es un regulador powerswitching de alto voltaje integrado que combina una avalancha SenseFET rugoso con un bloque de gestión actual del modo PWM. El regulador de PWM incluye un oscilador de frecuencia fija integrado, un cierre del debajo-voltaje, un borde delantero que esconde (LEB), un conductor optimizado de la puerta, un suave-principio interno, fuentes actuales exactas temperatura-compensadas para una remuneración del lazo, y un conjunto de circuitos de la autopretección. Comparado con la solución de un regulador discreto del MOSFET y de PWM, puede reducir coste total, cuenta componente, tamaño, y el peso mientras que simultáneamente aumenta eficacia, productividad, y confiabilidad de sistema. Este dispositivo es una plataforma básica bien adaptada para los diseños rentables de convertidores del tiempo de retorno.
Grados máximos absolutos
Los “grados máximos absolutos” son esos valores más allá de los cuales la seguridad del dispositivo no puede ser garantizada. El dispositivo no se debe actuar en estos límites. Los valores paramétricos definidos en las tablas eléctricas de las características no se garantizan en los grados máximos absolutos.
TA = 25°C salvo especificación de lo contrario.
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidad | |
| BVDSS | Voltaje de avería de la Dren-fuente (1) | 650 | V | |
| VDGR | Voltaje de la Dren-puerta (RGS =1MΩ) | 650 | V | |
| VGS | Voltaje de la Puerta-fuente (tierra) | ±30 | V | |
| IDM | Drene actual pulsado (2) | 16 | ADC | |
| Identificación | Corriente continua del dren | T C = 25°C | 4,0 | ADC |
| T C = 100°C | 2,5 | ADC | ||
| Corriente continua del dren (D2-PAK-6L) | T C = 25°C | 2,3 | ADC | |
| T C = 100°C | 1,4 | ADC | ||
| VCC | Voltaje de fuente | 20 | V | |
| VFB | Gama del voltaje de la reacción | -0,3 a VCC | V | |
| Paladio | Disipación de poder total (TO-220-6L) | 140 | W | |
| El reducir la capacidad normal | -1,1 | W/°C | ||
| Paladio | Disipación de poder total (I2-PAK-6L) | 75 | W | |
| El reducir la capacidad normal | -1,5 | W/°C | ||
| Paladio | Disipación de poder total (D2-PAK-6L) | 80 | W | |
| El reducir la capacidad normal | -0,64 | W/°C | ||
| TJ | Temperatura de empalme de funcionamiento | Internamente limitado | °C | |
| TA | Temperatura ambiente de funcionamiento | -25 a +85 | °C | |
| TSTG | Temperatura de almacenamiento | -55 a +150 | °C | |
| Capacidad del ESD, modelo de HBM (todos los pernos excepto Vfb) | 2,0 (Tierra-Vfb = 1.5kV) (VCC-Vfb = 1.0kV) | kilovoltio | ||
| Capacidad del ESD, modelo de máquina (todos los pernos excepto Vfb) | 300 (Tierra-Vfb = 250V) (VCC-Vfb = 100V) | V | ||
Notas: 1. Tj = 25°C a 150°C
2. grado repetidor: Anchura de impulso limitada por temperatura de empalme máxima
3. T C: Temperatura superficial trasera del caso con el disipador de calor infinito
Circuito típico
Cuadro 1. uso típico del tiempo de retorno
Bloque diagrama interno
Cuadro 2. bloque diagrama funcional de FSCM0465R
Pin Configuration
Cuadro 3. Pin Configuration (visión superior)
AOZ1021AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original
AOZ1210AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original
TNY274GN ALCANZAS NUEVAS y originales
| Imagen | parte # | Descripción | |
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AOZ1021AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 3A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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AOZ1210AI Chip de circuito integrado electrónico nuevo y original |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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TNY274GN ALCANZAS NUEVAS y originales |
Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
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