Transistor de efecto de campo del modo del aumento del nivel de la lógica del P-canal del transistor de poder de NDS356AP
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Transistor de efecto de campo del modo del aumento del nivel de la lógica del P-canal de NDS356AP
Descripción general
Los transistores de efecto de campo del poder del modo del aumento del nivel de la lógica del P-canal SuperSOTTM-3 se producen usando Fairchild propietaria, alta densidad de célula, tecnología de DMOS. Este proceso muy de alta densidad se adapta especialmente para minimizar resistencia del en-estado. Estos dispositivos se adaptan particularmente para los usos de la baja tensión tales como gestión del poder del ordenador portátil, electrónica portátil, y otros circuitos con pilas donde están necesarios la transferencia rápida del alto-lado, y el apagón en línea bajo en un paquete muy pequeño del soporte de la superficie del esquema.
Características
►-1,1 A, -30 V, RDS (ENCENDIDO) = 0,3 W @ VGS=-4.5 V
RDS (ENCENDIDO) = 0,2 W @ VGS=-10 V.
►Paquete superficial del soporte del esquema SOT-23 del estándar industrial
usando el diseño propietario SuperSOTTM-3 para la termal superior
y capacidades eléctricas.
►Diseño de alta densidad de la célula para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO).
►En-resistencia excepcional y capacidad actual máxima de DC.
Grados máximos absolutos TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente
| Símbolo | Parámetro | NDS356AP | Unidades |
| VDSS | Voltaje de la Dren-fuente | -30 | V |
| VGSS | Voltaje de la Puerta-fuente - continuo | ±20 | V |
| Identificación | Corriente máxima del dren - continua | ±1.1 | |
| Paladio | Disipación de poder máxima | 0,5 | W |
| TJ, TSTG | Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento | -55 a 150 | °C |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485