Transistor nuevo y original del Mosfet del poder (−100V, −2A) 2SB1316
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) PNP - DarliCM GROUPon 100 V 2 un soporte superficial CPT3 de 50MHz 10 W
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Colector-base:
-100 V
voltaje del Colector-emisor:
-100 V
voltaje de la Emisor-base:
- 8 V
TEMPERATURA DE EMPALME:
150°C
Temperatura de almacenamiento:
-55 a +150°C
Corriente de colector:
-2 A (DC)
Punto culminante:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introducción
Transistor de poder (−100V, −2A) 2SB1580/2SB1316
Características
1) Conexión de DarliCM GROUPon para el alto aumento actual de DC.
2) Resistor incorporado entre la base y el emisor.
3) Diodo más húmedo incorporado.
4) Complementa el 2SD2195/el 2SD1980.
Dimensiones externas (unidad: milímetro)
Grados máximos absolutos (TA = 25°C)
| Parámetro | Símbolo | Límites | Unidad | |
| voltaje de la Colector-base | VCBO | -100 | V | |
| voltaje del Colector-emisor | VCEO | -100 | V | |
| voltaje de la Emisor-base | VEBO | -8 | V | |
| Corriente de colector | IC | -2 | (DC) | |
| -3 | A (pulso) ∗1 | |||
| Disipación de poder del colector | 2SB1580 | PC | 2 | W ∗2 |
| 2SB1316 | 1 | |||
| 10 | W (Tc=25°C) | |||
| Temperatura de empalme | Tj | 150 | °C | |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -55 a +150 | °C | |
∗1 solo pulso Pw=100ms
∗2 cuándo montó en un tablero de cerámica de 40 x 40 x 0,7 milímetros.
Especificaciones y hFE de empaquetado
| Tipo | 2SB1580 | 2SB1316 |
| Paquete | MPT3 | CPT3 |
| hFE | 1k a 10k | 1k a 10k |
| Marca | BN∗ | -- |
| Código | T100 | TL |
| Unidad que ordena básica (pedazos) | 1000 | 2500 |
El ∗ denota el hFE
Curva de características eléctrica
PRODUCTOS RELACIONADOS
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
10pcs