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Conductor Stage Amplifier Applications del poder del transistor complementario a 2SC4793 (F, M) A1837

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) NPN 230 V 1 un 100MHz 2 W a través del agujero TO-220NIS
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
VCBO:
-230 V
VCEO:
−230 V
VEBO:
−5 V
IC:
−1 A
IB:
−0.1 A
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introducción

Tipo epitaxial del silicio PNP del transistor de TOSHIBA


Usos del amplificador de potencia

Conductor Stage Amplifier Applications

• Alta frecuencia de la transición: pie = 70 megaciclos (tipo.)

• Complementario a 2SC4793

Nota:

Usando continuamente bajo cargas pesadas (e.g el uso de temperatura alta/actual/voltaje y el cambio significativo en temperatura, el etc.) puede hacer este producto disminuir en la confiabilidad perceptiblemente incluso si las condiciones de funcionamiento (es decir temperatura de funcionamiento/actual/voltaje, etc.) están dentro de los grados máximos absolutos. Diseñe por favor la confiabilidad apropiada sobre el repaso del manual de la confiabilidad del semiconductor de Toshiba (“manejando concepto y los métodos de /Derating de las precauciones”) y los datos de confiabilidad individuales (es decir informe de prueba de confiabilidad y porcentaje de averías, etc estimados).

Grados máximos absolutos (Tc = 25°C)

Características Símbolo Grado Unidad
voltaje de la Colector-base VCBO −230 V
voltaje del Colector-emisor VCEO −230 V
voltaje de la Emisor-base VEBO −5 V
Corriente de colector IC −1
Corriente baja IB -0,1

Disipación de poder del colector TA = 25°C

Tc = 25°C

PC 2,0 W
20
Temperatura de empalme Tj 150 °C
Gama de temperaturas de almacenamiento Tstg −55 a 150 °C

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