Transferencia rápida de la En-resistencia HEXFET del poder del MOSFET del P-canal de la huella ultrabaja del MOSFET SOT-23 IRLML6402TRPBF
power mosfet ic
,silicon power transistors
¿?????? ¿HEXFET? MOSFET T del poder
* En-resistencia ultrabaja
* MOSFET del P-canal
* huella SOT-23
* perfil bajo (<1>
* disponible en cinta y carrete
¿* transferencia rápida?????
Estos MOSFETs del P-canal del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - onresistance bajo por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET® son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en la gestión de la batería y de la carga.
Un leadframe grande termalmente aumentado del cojín se ha incorporado en el paquete estándar SOT-23 para producir un MOSFET del poder de HEXFET con la huella más pequeña de la industria. Este paquete, doblado el Micro3™, es ideal para los usos donde está el espacio impreso de la placa de circuito en un premio. El perfil bajo (<1>
| Parámetro | Máximo. | Unidades | |
| VDS | Voltaje de la fuente del dren | -20 | V |
| Identificación @ TA = 25°C | Corriente continua del dren, VGS @ -4.5V | -3,7 | |
| Identificación @ TA= 70°C | Corriente continua del dren, VGS @ -4.5V | -2,2 | |
| IDM | ¿Corriente pulsada del dren? | -22 | |
| Paladio @TA = 25°C | Disipación de poder | 1,3 | W |
| Paladio @TA = 70°C | Disipación de poder | 0,8 | |
| Factor que reduce la capacidad normal linear | 0,01 | W/°C | |
| EAS | ¿Sola energía de la avalancha del pulso? | 11 | mJ |
| VGS | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ± 12 | V |
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC