El transistor de fines generales del Mosfet del poder (silicio) de NPN Pb−Free empaqueta MMBT3904LT1G
Especificaciones
Voltaje de Collector−Emitter:
40 VDC
Voltaje de Collector−Base:
60 VDC
Voltaje de Emitter−Base:
6,0 VDC
− de la corriente de colector continuo:
mAdc 200
Temperatura del empalme y de almacenamiento:
−55 al °C +150
Punto culminante:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introducción
Transistor de fines generales
Silicio de NPN
GRADOS MÁXIMOS
Grado | Símbolo | Valor | Unidad |
Voltaje de Collector−Emitter | VCEO | 40 | VDC |
Voltaje de Collector−Base | VCBO | 60 | VDC |
Voltaje de Emitter−Base | VEBO | 6,0 | VDC |
− de la corriente de colector continuo | IC | 200 | mAdc |
CARACTERÍSTICAS TERMALES
Característica | Símbolo | Máximo | Unidad |
Tablero total de la disipación FR−5 del dispositivo (Nota 1) @TA = 25°C Reduzca la capacidad normal sobre 25°C |
Paladio | 225 1,8 | mW mW/°C |
Resistencia termal, Junction−to−Ambient | RJA | 556 | °C/W |
Alúmina total de la disipación del dispositivo Substrato, (nota 2) @TA = 25°C Reduzca la capacidad normal sobre 25°C |
Paladio |
300 2,4 |
mW mW/°C |
Resistencia termal, Junction−to−Ambient | RJA | 417 | °C/W |
Temperatura del empalme y de almacenamiento | TJ, Tstg | −55 a +150 | °C |
Prueba del pulso: Anchura de pulso 300 s, ciclo de trabajo 2,0%. F
PRODUCTOS RELACIONADOS
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
5pcs