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Recorte regulador de la microfuerza elevadora de los diodos de rectificador de poder de Schottky del diodo de rectificador MBR0520LT1 PFM

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte superficial SOD-123 del diodo 20 V 500mA
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje reverso repetidor máximo:
20V
La media rectificó adelante actual:
0.5A
Gama de temperaturas de almacenamiento:
- 65 a +150°C
Temperatura de empalme de funcionamiento:
- 65 a +125°C
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introducción

Diodos de rectificador superficiales de poder de Schottky del soporte MBR0520LT1

Características

• Guardring para la protección de la tensión

• Voltaje delantero muy bajo (0,38 V @ 0,5 A máxima, 25°C)

• temperatura de empalme de funcionamiento 125°C

• UL de epoxy 94 V−0 @ 0,125 de las reuniones adentro

• Paquete diseñado para la asamblea automatizada óptima del tablero

• Los paquetes de Pb−Free están disponibles

Características mecánicas
• Opciones del carrete: MBR0520LT1 = 3.000 por 7 la cinta del ″ reel/8 milímetros

MBR0520LT3 = 10.000 por 13 la cinta del ″ reel/8 milímetros

• Diseñador de la polaridad: Banda del cátodo

• Peso: magnesio 11,7 (aproximadamente)

• Caso: De epoxy, moldeado

• Final: Todo el externo emerge resistente a la corrosión y las ventajas terminales son fácilmente Solderable

• Temperatura superficial de la ventaja y de montaje para los propósitos que sueldan: máximo 260°C por 10 segundos
GRADOS MÁXIMOS

Grado Símbolo Valor Unidad
Voltaje reverso repetidor máximo
Voltaje reverso máximo de trabajo
Voltaje de bloqueo de DC
VRRM
VRWM
VR
20 V
Corriente delantera rectificada media
(VR clasificado, TL = 90°C)
SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) 0,5
Sobretensión del pico de Non−Repetitive (oleada aplicada en la media onda de las condiciones de carga clasificada, la monofásico, 60 herzios) IFSM 5,5
Gama de temperaturas de almacenamiento Tstg −65 a +150 °C
Temperatura de empalme de funcionamiento TJ −65 a +125 °C
Índice del voltaje del cambio (VR clasificados) dv/dt 1000 V/s
Grados del ESD: Modelo de máquina = C
Modelo del cuerpo humano = 3B
> 400
> 8000
V

CARACTERÍSTICAS TERMALES

Grado Símbolo Valor Unidad
Resistencia termal; Junction−to−Ambient RJA 206 °C/W
Resistencia termal; Junction−to−Lead RJL 150 °C/W


Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
PMBD7000 15200 14+ SOT-23
TC7660COA 15200 MICROCHIP 14+ SOP-8
1N5352B 15220 EN 14+ CASE17-02
1.5KE13CA 15580 VISHAY 16+ DO-201AD
HEF4013BT 15800 16+ COMPENSACIÓN
RCLAMP0524PATCT 15900 SEMTECH 16+ SLP251
11N80C3 16000 15+ TO-220F
MBR0520LT1 16200 EN 16+ SOD-123
P6KE36A 16200 VISHAY 16+ DO-15
LT1361CS8 17000 LT 14+ SOP8
1.5KE27CA 17002 VISHAY 14+ DO-201AD
MBR0520LT3 17100 EN 14+ SOD-123
TDA7294V 17200 ST 16+ ZIP15
NFM18PS105R0J3D 17500 MURATA 16+ SMD
SMBJ40CA 17500 VISHAY 13+ SMB
ZM4730A 17580 ST 15+ LL-41
1.5KE27CA 18000 VISHAY 16+ DO-201AD
74HC165D 18000 16+ COMPENSACIÓN
74HC595D 18000 14+ COMPENSACIÓN
A3120 18000 AVAGO 16+ DIPSOP8
MBT3904LT1G 18000 EN 14+ SOT-23
MC34063API 18000 EN 16+ DIP8
MIC2288YD5 18000 MICREL 16+ SOT23-5
MMBV2109 18000 EN 15+ SOT23
MX30LF1G08AA-TI 18000 MACRONIX 15+ TSSOP
PMV40UN 18000 16+ SOT-23
SI4416DY 18000 VISHAY 16+ SOIC-8
SI5855 18000 VISHAY 14+ SOT23-8
XC6201P332MR 18000 TOREX 14+ SOT-23
STM4433A 18032 SAMHOP 15+ SOP8

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