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Rectificador superficial de la barrera de Schottky del soporte del diodo de rectificador de SS16-E3/61T

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte superficial DO-214AC (SMA) del diodo 60 V 1A
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Código de la marca del dispositivo:
S6
Voltaje reverso máximo repetidor máximo:
60 V
Voltaje máximo del RMS:
42 V
Voltaje de bloqueo máximo de DC:
60 V
Índice del voltaje de cambio:
10 000 V/µs
Temperatura de almacenamiento:
- 65 + al °C 150
Punto culminante:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introducción

SS12 con SS16

Rectificador superficial de la barrera de Schottky del soporte

CARACTERÍSTICAS

• Paquete del perfil bajo

• Ideal para la colocación automatizada

• Guardring para la protección de la sobretensión

• Pérdidas de la energía baja, eficacia alta

• Caída de voltaje delantera baja

• Alta capacidad de oleada

• Nivel 1 de las reuniones MSL, por J-STD-020, SI pico máximo del °C 260

• °C de la inmersión 260 de la soldadura, 40 s

• Componente del acuerdo a RoHS 2002/95/EC y WEEE 2002/96/EC

USOS TÍPICOS

Para el uso en la baja tensión, inversores de alta frecuencia, andando sin embragar, los convertidores de DC-a-DC, y los usos de la protección de la polaridad.

DATOS MECÁNICOS

Caso: DO-214AC (SMA)

El epóxido resuelve el grado de la inflamabilidad de la UL 94V-0

Terminales: Ventajas estañadas, solderable mates por J-STD-002 y JESD22-B102

El sufijo E3 para el grado de consumidor, resuelve la prueba de la barba de la clase 1A de JESD 201, sufijo HE3 para el alto grado de la confiabilidad (AEC Q101 calificado), resuelve la prueba de la barba de la clase 2 de JESD 201

Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo

CARACTERÍSTICAS PRIMARIAS

SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) 1,0 A
VRRM 20 V a 60 V
IFSM 40 A
VF 0,50 V, 0,75 V
Máximo de TJ. 125 °C, °C 150

GRADOS MÁXIMOS (TA = °C 25 a menos que se indicare en forma diferente)

PARÁMETRO SÍMBOLO SS12 SS13 SS14 SS15 SS16 UNIDAD
Código de la marca del dispositivo S2 S3 S4 S5 S6
Voltaje reverso máximo repetidor máximo VRRM 20 30 40 50 60 V
Voltaje máximo del RMS VRMS 14 21 28 35 42 V
Voltaje de bloqueo máximo de DC VDC 20 30 40 50 60 V
La media máxima adelante rectificó actual en TL (fig. 1) SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) 1,0
Onda sinusoidal delantera máxima del ms de la sobretensión 8,3 sola media sobrepuesta en carga clasificada IFSM 40
Índice del voltaje de cambio (valoró VR) dV/dt 10000 V/µs
Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme TJ -65 a + 125 -65 a + 150 °C
Gama de temperaturas de almacenamiento TSTG -65 a + 150 °C

DIMENSIONES del ESQUEMA del PAQUETE en las pulgadas (milímetros)

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
MBRM120LT1G 40000 EN 16+ CÉSPED
MC9S08AW32CFGE 4552 FREESCALE 13+ LQFP
NAND512R3A2SZA6E 5760 ST 14+ BGA
OPA695IDR 8180 TI 12+ SOP-8
BFS20 9000 15+ SOT23
MSP430F2471TPMR 6722 TI 15+ LQFP
ATMEGA64A-AU 5001 ATMEL 15+ QFP-64
LMV331IDBVR 10000 TI 15+ SOT-23-5
LM3880MFX-1AB 4505 NSC 15+ SOT-23-6
MOC3022 30000 FAIRCHILD 16+ DIP-6
LM611CMX 1428 NSC 14+ SOP-14
PIC18F6720-I/PT 4298 MICROCHIP 10+ QFP
MAX9768ETG+T 11152 MÁXIMA 15+ TQFN
NCP3063BDR2G 8371 EN 16+ SOP-8
PIC18F8722-I/PT 4253 MICROCHIP 14+ QFP
30119* 208 BOSCH 10+ ZIP-3
30381* 2090 BOSCH 11+ SOP-20
OPA373AIDBVR 7520 TI 16+ SOT23-5
M24C64-WMN6TP 30000 ST 16+ COMPENSACIÓN
LT3750EMS 5613 LT 14+ MSOP
LM4811MM 4410 NSC 15+ MSOP-10
LM4875MMX 2543 NSC 14+ MSOP-8
PTH12040WAH 800 TI 15+ INMERSIÓN
M41T93RMY6 3633 ST 14+ COMPENSACIÓN
NH82801GB-SL8FX 2200 INTEL 16+ BGA
MC79L05ACDR2G 30000 EN 13+ SOP-8
2SA1941+2SC5198 6304 TOSHIBA 15+ TO-3P
MJD340T4G 10000 EN 16+ TO-252
LMH6646MAX 2729 NSC 14+ SOP-8
MC14528BCP 6257 EN 16+ INMERSIÓN

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