Enviar mensaje
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Hogar
productos
fabricantes
Sobre nosotros
recursos
Envíe el RFQ
transferencia directa
Hogar > productos > Chip CI de memoria Flash > Chips CI comunes de memoria Flash de la fuente 3V de M29W640GT70NA6E 64 Mbit (8Mb x8 o 4Mb x16, página)

Chips CI comunes de memoria Flash de la fuente 3V de M29W640GT70NA6E 64 Mbit (8Mb x8 o 4Mb x16, página)

Chips CI comunes de memoria Flash de la fuente 3V de M29W640GT70NA6E 64 Mbit (8Mb x8 o 4Mb x16, página)
Chips CI comunes de memoria Flash de la fuente 3V de M29W640GT70NA6E 64 Mbit (8Mb x8 o 4Mb x16, página)
Chips CI comunes de memoria Flash de la fuente 3V de M29W640GT70NA6E 64 Mbit (8Mb x8 o 4Mb x16, página)
fabricante:
Fabricante
Descripción:
FLASH - NI memoria IC 64Mbit 70 paralelos ns 48-TSOP I
Categoría:
Chip CI de memoria Flash
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
VCC voltaje de fuente:
2,7 -3,6 V
Temperatura de funcionamiento ambiente:
– °C 40 -85
Capacitancia de la carga (CL):
30 PF
Subida y tiempos de caída entrados:
10 ns
Voltajes del pulso entrado:
0 a Vcc V
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introducción

Chips CI comunes de memoria Flash de la fuente 3V de M29W640GT70NA6E 64 Mbit (8Mb x8 o 4Mb x16, página)

Característica

■Voltaje de fuente

– VCC = 2,7 a 3,6 V para el programa/el borrado/leído

– VPP =12 V para el programa rápido (opcional)

■Al azar asincrónico/página leída

– Anchura de página: 4 palabras

– Acceso de la página: 25 ns

– De acceso aleatorio: 60 ns, 70 ns, 90 ns

■Comandos rápidos del programa

– programa del byte 2 word/4 (sin VPP=12 V)

– programa del byte 4 word/8 (con VPP=12 V)

– el byte 16 word/32 escribe el almacenador intermediario

■Tiempo programado

– 10 µs por el byte/la palabra típicos

– Tiempo de Chip Program: 10 s (programa 4-word)

El M29W640G tiene un bloque adicional, el bloque extendido, de 128 palabras en el modo x16 o de 256 bytes en el modo x8 que se puede alcanzar usando un comando dedicado. El bloque extendido se puede proteger y así que es útil para almacenar la información de seguridad. Sin embargo la protección no es reversible, protegió una vez la protección no puede ser deshecha.

Los M29W640GT, M29W640GB, M29W640GH y M29W640GL, se ofrecen en (10x echada de 13m m, de 1m m) los paquetes TSOP48 (12x 20m m), TSOP56 (14x 20m m), TFBGA48 (6 x8mm, echada de 0.8m m), y TBGA64.

LISTA COMÚN

DS1616 5940 MÁXIMA 15+ DIP-24
CD74HC4060M96 5800 TI 15+ SOP-16
74HC283D 7500 16+ COMPENSACIÓN
6DI150-050 100 FUJI 15+ MÓDULO
DA112S1 1925 ST 16+ SOP-8
DDB6U100N16RR 100 13+ MÓDULO
BA3822LS 2300 ROHM 13+ ZIP-14
BU8872FS-E2 2100 ROHM 16+ SOP-16
CM50DY-24H 170 MITSUBISH 15+ MÓDULO
AD8541AKSZ 2450 ANUNCIO 14+ SC70-5
BYV541V200 190 ST 14+ MÓDULO
AD623BR 2450 ANUNCIO 15+ COMPENSACIÓN
A2982SLWTR-T 2230 ALLEGRO 16+ SOP-20
MBI6024GFN 14446 MBI 16+ SSOP
MA03-24S09 741 MINMAX 14+ SORBO
LMH0071SQE 999 TI 15+ WQFN-48
ATMEGA8-16PU 2500 ATMEL 14+ DIP-28
PA0367ANL 10520 PULSO 16+ SMD
PE-53913NL 14420 PULSO 16+ SMD
PE-51686 14400 PULSO 16+ COMPENSACIÓN
LTM2881CV-5#PBF 5960 LINEAR 15+ LGA
NT5TU32M16CG-25C 4280 NANYA 10+ BGA
GBPC3510 3460 SEPT 14+ GBPC
H11L1VM 3460 FAIRCHILD 13+ DIP-6
DS1554-70+ 6060 DALLAS 13+ INMERSIÓN
MAX6495ATT/V+T 4808 MÁXIMA 15+ TDFN
MAX6495ATT 4747 MÁXIMA 16+ TDFN
IR2155 1500 IR 13+ DIP-8
MT8816AP 4414 ZARLINK 11+ PLCC
AD8307ARZ 2450 ANUNCIO 14+ SOP-8
CD22M3494MQZ 1380 INTERSIL 14+ PLCC44
X5045P 5000 INTERSIL 03+ DIP-8
LTC1149CS-5 4198 LT 12+ SOP-16
74LS06N 7500 TI 15+ INMERSIÓN
GAL16V8D-25QJ 3460 ENREJADO 15+ PLCC20
CS4385-CQZ 1365 CIRRO 14+ QFP
MBRF10100CTG 10000 EN 16+ TO-220
G5LE145DC 3460 OMRON 14+ SMD
MT9075BP 4599 ZARLINK 16+ PLCC-68
PE-65508NL 3166 PULSO 13+ SOP-16
PE-65861NL 3322 PULSO 1321+ SOP-16
PRODUCTOS RELACIONADOS
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 existencias nuevas y originales

SKY65336-11 existencias nuevas y originales

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Imagen parte # Descripción
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales

PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT

Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF

ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG

Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip

Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485

MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 existencias nuevas y originales

SKY65336-11 existencias nuevas y originales
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
5pcs
Contáctenos
Dirección: Sala 1204, Edificio Internacional DingCheng, 518028 Distrito Futian, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Teléfono: 86-755-88367702
productos

Chip CI de memoria Flash

Chip CI programable

Chips CI del ordenador

Conductor ICs del LED

Gestión ICs del poder

Chips de circuito integrado

Unidad de microcontrolador MCU

Conductor ICs de la exhibición

Módulo de potencia IGBT

Chips CI del amplificador
Sobre nosotros
Sobre nosotros Certificado del ISO Control de calidad Políticas de privacidad Centro de la ayuda
Políticas de privacidad | Buena calidad de China Chip CI de memoria Flash Proveedor. © de Copyright 2023-2024 icmemorychip.com . Todos los derechos reservados.