Diodos Zener planares del silicio de los diodos Zener del diodo de rectificador de BZG05C6V2TR
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
BZG05C-Series
Diodos Zener
CARACTERÍSTICAS
• Alta confiabilidad
• Gama 3,3 V a 100 V del voltaje
• Ajustes sobre bandoleros de 5 milímetros SMD
• Onda y flujo solderable
• AEC-101 calificó
• Obediente a RoHS 2002/95/EC directivo y de acuerdo a WEEE 2002/96/EC
USOS
• Estabilización del voltaje
CARACTERÍSTICAS PRIMARIAS
PARÁMETRO | VALOR | UNIDAD |
---|---|---|
Nom de la gama de VZ. | 3,3 a 100 | V |
Prueba IZT actual | 2,7 a 80 | mA |
Especificación de VZ | Corriente del pulso | |
Internacional. construcción | Solo |
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (Tamb = °C 25, salvo especificación de lo contrario)
PARÁMETRO | CONDICIÓN DE PRUEBA | SÍMBOLO | VALOR | UNIDAD |
---|---|---|---|---|
Disipación de poder | RthJA< 30="" K=""> | Ptot | 3000 | mW |
RthJA< 100="" K=""> | Ptot | 1250 | mW | |
Disipación de poder máxima no repetidor de la oleada | tp = 100 μs sq.pulse, Tj = °C 25 antes de la oleada | PZSM | 60 | W |
Empalme a llevar | RthJL | 30 | K/W | |
Empalme al aire ambiente | Montado en tejido duro de epoxy-vidrio, fig. 1a | RthJA | 150 | K/W |
Montado en tejido duro de epoxy-vidrio, fig. 1b | RthJA | 125 | K/W | |
Montado en Al-oxid-de cerámica (Al2O3), fig.1b | RthJA | 100 | K/W | |
Temperatura de empalme | Tj | 150 | °C | |
Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | - 65 a + 150 | °C | |
Voltaje delantero (máximo) | SI = 0,2 A | VF | 1,2 | V |
DIMENSIONES del PAQUETE en los milímetros (pulgadas): DO-214AC
Oferta común (venta caliente)
Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
TLP759 | 24480 | TOSHIBA | 16+ | SOP-8 |
TLP785GB | 71000 | TOSHIBA | 16+ | DIP-4 |
TLV2217-33KCSE3 | 14631 | TI | 11+ | TO-220 |
TLV2373IDGSR | 4914 | TI | 06+ | MSOP-10 |
TLV2401CDBVR | 8191 | TI | 15+ | SOT23-5 |
TLV2464IPWR | 3517 | TI | 11+ | TSSOP-14 |
TLV2472AIDR | 6435 | TI | 14+ | SOP-8 |
TLV2771CDBVR | 16946 | TI | 16+ | SOT23-5 |
TLV2774IDR | 6156 | TI | 10+ | SOP-14 |
TLV5606CDGKR | 6012 | TI | 06+ | VSSOP-8 |
TLV5610IPWR | 2618 | TI | 14+ | TSSOP-20 |
TLV5610IPWR | 2532 | TI | 11+ | TSSOP-20 |
TLV62130RGTR | 5398 | TI | 16+ | QFN16 |
TLV70033DDCR | 43000 | TI | 14+ | SOT23-5 |
TLV70433DBVR | 91000 | TI | 13+ | SOT23-5 |
TM4C123FH6PMI | 1543 | TI | 13+ | LQFP-64 |
TM4C129ENCPDTI3R | 2790 | TI | 13+ | QFP128 |
TMD0507-2A | 229 | TOSHIBA | 15+ | SMD |
TMP102AIDRLR | 4371 | TI | 16+ | SOT-563 |
TMP82C79P-2 | 3478 | TOSHIBA | 98+ | DIP-40 |
TMPM374FWUG | 3299 | TOSHIBA | 11+ | LQFP-44 |
TMS27PC256-15NL | 2483 | TI | 94+ | DIP-24 |
TMS320F2810PBKA | 1741 | TI | 16+ | QFP |
TMS320F2810PBKQ | 1417 | TI | 12+ | QFP128 |
TMS320F28335PGFA | 1687 | TI | 16+ | LQFP-176 |
TMS3705A1DR | 3402 | TI | 15+ | SOP-16 |
TMS3705ADR | 2854 | TI | 15+ | SOP-16 |
TN1215-600B-TR | 3868 | ST | 14+ | TO-252 |
TN6Q04 | 17017 | SANYO | 14+ | TO-220-5 |
TN80C188EB20 | 418 | INTEL | 05+ | PLCC84 |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
