Enviar mensaje
Hogar > productos > chips CI electrónicos > S5M - E3 - transistor de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del diodo de rectificador 57T

S5M - E3 - transistor de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del diodo de rectificador 57T

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte superficial DO-214AB (SMC) del diodo 1000 V 5A
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Gama de temperaturas:
-65 a +150°C
término del pago:
T/T, Paypal, Western Union
Voltaje:
50V--1000V
Envío:
DHL, FEDEX, TNT, EL CCSME
Paquete:
DO-214AB
Paquete de la fábrica:
850/REEL
Punto culminante:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introducción

S5M - E3 - transistor de la electrónica de IC del microprocesador del circuito integrado del diodo de rectificador 57T

¿??? ¿?? ¿????? ¿??????????? ¿?????????

Descripción

¡! Caso: SMC/DO-214AB, plástico moldeado

¡! Terminales: Soldadura plateada, Solderable por MIL-STD-750, método 2026

¡! Polaridad: Banda del cátodo o muesca del cátodo

¡! Marca: ¡Tipo número! Peso: 0,21 gramos (aproximadamente)

¡! Sin plomo: Para RoHS/la versión sin plomo, añada “- el sufijo del LF” al número de parte, véase la página 4

Funciones

¡! De cristal apaciguada mueren construcción

¡! Adaptado idealmente para la asamblea automática B

¡! Caída de voltaje delantera baja

¡! Grado de sobrecarga de la oleada 100A al pico D

¡! Pérdida A de la energía baja

¡! Alivio de tensión incorporado F

¡! El material del estuche de plástico tiene clasificación de la inflamabilidad de la UL que valora 94V-O

Voltaje reverso repetidor máximo que trabaja voltaje de bloqueo máximo de DC del voltaje reverso

VRRM VRWM VR 50 100 200 400 600 800 1000 V RMS

Voltaje reverso VR (RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V

Corriente de salida rectificada media @TL = 75°C IO 5,0 A

Sobretensión delantera máxima sin repetición 8.3ms

Sola media onda sinusoidal sobrepuesta en la carga clasificada (método) de JEDEC IFSM 100 A

Voltaje delantero @IF = 5.0A VFM 1,15 V

Actual reverso máximo @TA = 25°C

En el voltaje de bloqueo clasificado de DC @TA = 125°C

IRM 10 capacitancia de empalme típica de 250 µA (nota 1) Cj 40 PF

¿Resistencia termal típica (nota 2) R? JL 10 °C/W

Gama de temperaturas Tj, TSTG -65 a del funcionamiento y de almacenamiento °C +150

Una parte de la lista común

TRANSPORTE BC848B, 215 1427/1KW SOT-23
DIODO FEP16DT FSC A1104/AB04 TO-220
Transporte. TIP31C FSC 2016/09/13/B08 TO-220
DIODO MUR860G EN 608 TO-220
DIODO MUR460RLG EN 1613 DO-201AD
UMK316AB7475KL 1206 4.7UF 50V X7R Taiyoyunden 1608 SMD1206
BZX84-C6V2 1610/Z4W SOT-23
RP164PJ331CS 330R SAMSUNG 20160922 SMD0603x4
RC1210JR-074R7L 1210 4R7 el 5% YAGEO 1638 SMD1210
LM833DR TI 0AMASD5 SOP-8
LMH6646MAX TI MUAB/MGAB SOP-8
LM8261M5 TI A45A SOT23-5
M24C04-WMN6TP STM K235Q SOP-8
RSX101VA-30TR ROHM R SOD-323
IRLML2502TRPBF IR G6109 SOT-23
CL21A106KOQNNNE SAMSUNG AC8NOK9 SMD0805
LM2936Z-5.0 NSC 81AX TO-92
HEF4538BT, 653 1610 SOP-16
DAC5571IDBVT TI D571 SOT23-6
DS36C279M/NOPB NSC 43RC SOP-8
1206 1R2 el 1% RC1206FR-071R2L YAGEO 1638 SMD1206
0603 120R el 1% RC0603FR-07120RL YAGEO 1635 SMD0603
0603 22K el 1% RC0603FR-0722KL YAGEO 1635 SMD0603
AT24C64CN-SH-T ATMEL 008/64C 1 SOP-8
TLC072CDGN TI TI8A/ADV MSOP-8
74HC238D 1625 SOP-16
S5M-E3/57T VISHAY el 1603/5M SMC
US1M-E3/61T VISHAY 1628/UM SMA
MC78M05CDTX FSC 1A42AD TO-252
HY-SRF05   16+  

PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123  de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
850pcs