Los componentes de la electrónica del diodo de rectificador de BYG20J-E3/TR saltan la electrónica de IC
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Los componentes de la electrónica del diodo de rectificador de BYG20J-E3-TR saltan la electrónica de IC
Rectificador ultrarrápido de la avalancha SMD
CARACTERÍSTICAS
• Paquete del perfil bajo
• Ideal para la colocación automatizada
• Empalme apaciguado de cristal
• Corriente reversa baja
• Características suaves de la recuperación
• Tiempo de recuperación reversa ultrarrápido
• Nivel 1 de las reuniones MSL, por J-STD-020, SI pico máximo del °C 260
• AEC-Q101 calificó
• Obediente a RoHS 2002/95/EC directivo y de acuerdo a WEEE 2002/96/EC TÍPICO
USOS
Para el uso en la rectificación de alta frecuencia de la fuente de alimentación, de los inversores, de los convertidores y de los diodos que andan sin embragar para el consumidor, de automotriz y la telecomunicación.
Caso MECÁNICO de los DATOS: El compuesto que moldea de DO-214AC (SMA) resuelve la base P/noreste 3 - RoHS obediente, base P/NHE3 de la calidad comercial - RoHS obediente, AEC-Q101 del grado de la inflamabilidad V-0 de la UL 94 calificó los terminales: Las ventajas estañadas, solderable mates por sufijo de J-STD-002 y de JESD 22-B102 E3 resuelven la prueba de la barba de la clase 1A de JESD 201, sufijo HE3 resuelven la prueba de la barba de la clase 2 de JESD 201
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (1)
SI (SISTEMA DE PESOS AMERICANO) 1,5 A VRRM 200 V a 600 V IFSM 30 A ΜA del IR 1,0 VF 1,4 V trr 75 ns ER 20 mJ °C del máximo 150 de TJ |
TRANSPORTE BC847BLT1 | 18000 | EN | CHINA |
RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | CHINA |
RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | CHINA |
DIODO DF06S | 3000 | SEPT | CHINA |
CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | JAPÓN |
DIODO US1A-13-F | 50000 | DIODOS | MALASIA |
INDUTOR. 100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | JAPÓN |
RES 470R el 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
RES 1206 los 2M el 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | CHINA |
DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | MALASIA |
RES 1206 470R el 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CHINA |
MUNICIÓN DE DIODO UF4007 | 500000 | MIC | CHINA |
Transporte. ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAIWÁN |
RES 0805 4K7 el 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | YAGEO | CHINA |
ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE-ON | TAIWÁN |
TRANSPORTE MMBT2907A-7-F | 30000 | DIODOS | MALASIA |
TRANSPORTE STGW20NC60VD | 1000 | ST | MALASIA |
C.I LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | TAILANDIA |
C.I MC33298DW | 1000 | MOT | MALASIA |
C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | MALASIA |
C.I P8255A5 | 4500 | INTEL | JAPÓN |
C.I HM6116P-2 | 5000 | HITACHI | JAPÓN |
C.I DS1230Y- 150 | 2400 | DALLAS | FILIPINAS |
Transporte. ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAIWÁN |
TRIAC BT151-500R | 500000 | MARRUECOS | |
C.I HCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAIWÁN |
TRIAC TIC116M | 10000 | TI | TAILANDIA |
DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | MALASIA |
DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | MALASIA |
C.I MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAIWÁN |
C.I CD40106BE | 250 | TI | TAILANDIA |
ACOPLADOR PC733H | 1000 | SOSTENIDO | JAPÓN |
TRANSPORTE NDT452AP | 5200 | FSC | MALASIA |
CI LP2951-50DR | 1200 | TI | TAILANDIA |
CI MC7809CD2TR4G | 1200 | EN | MALASIA |
DIODO MBR20200CTG | 22000 | EN | MALASIA |
FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELFUSEI | TAIWÁN |
C.I TPIC6595N | 10000 | TI | TAILANDIA |
EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | MALASIA |
DIODO 1N4004-T | 5000000 | MIC | CHINA |
C.I CD4060BM | 500 | TI | TAILANDIA |
ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | MALASIA |
DIODO W08 | 500 | SEPT | CHINA |
C.I SN74HC373N | 1000 | TI | FILIPINAS |
FOTOSENSOR LOS 2SS52M | 500 | Honeywell | JAPÓN |
C.I SN74HC02N | 1000 | TI | TAILANDIA |
C.I CD4585BE | 250 | TI | TAILANDIA |
C.I MT46H32M16LFBF-6IT: C | 40 | MICRÓN | MALASIA |
DIODO MMSZ5242BT1G | 30000 | EN | MALASIA |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
