Diodo de rectificador síncrono del diodo de rectificador ISL9R3060G2 BAV99
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
ISL9R3060G2, ISL9R3060P2
30A, diodo de 600V Stealth™
Descripción general
Los ISL9R3060G2 y los ISL9R3060P2 son diodos de Stealth™ optimizados para el funcionamiento de pequeñas pérdidas en usos cambiados duros de alta frecuencia. La familia de Stealth™ exhibe la corriente de recuperación reversa baja (IRRM) y la recuperación excepcionalmente suave bajo condiciones de funcionamiento típicas.
Este dispositivo se piensa para el uso como diodo libre el rodar o del alza en fuentes de alimentación y otros usos que cambian del poder. El IRRM bajo y la fase corta de TA reducir pérdida en transistores de transferencia. La recuperación suave minimiza el sonido, ampliando la gama de condiciones bajo las cuales el diodo se pueda actuar sin el uso del conjunto de circuitos adicional del tambor de frenaje. Considere usar el diodo de Stealth™ con un SMPS IGBT para proporcionar el diseño de la densidad del poder más eficiente y más alto en más barato.
Tipo antes de desarrollo TA49411.
Características
• TB/TA suaves de la recuperación…………………… > 1,2
• Recuperación rápida……………………. trr< 35ns="">
• Temperatura de funcionamiento………………. 175℃
• Voltaje reverso. ……………………. 600V
• La energía de la avalancha valoró
Usos
• Fuentes de alimentación del modo del interruptor
• Diodo cambiado duro del alza de PFC
• Diodo que rueda libre de UPS
• Impulsión FWD del motor
• SMPS FWD
• Diodo del tambor de frenaje
Grados máximos del dispositivo TC = 25°C a menos que se indicare en forma diferente
Símbolo | Parámetro | Grados | Unidades |
VRRM | Voltaje reverso repetidor máximo | 600 | V |
VRWM | Voltaje reverso máximo de trabajo | 600 | V |
VR | Voltaje de bloqueo de DC | 600 | V |
SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | Corriente delantera rectificada media | 30 | |
IFRM | Sobretensión máxima repetidor (onda cuadrada 20kHz) | 70 | |
IFSM | Sobretensión máxima sin repetición (media onda 1 fase 60Hz) | 325 | |
Paladio | Disipación de poder | 200 | W |
EAVL | Energía de la avalancha (1A, 40mH) | 20 | mJ |
TJ, TSTG | Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento | -55 a 175 | °C |
TL TPKG
|
Temperatura máxima para soldar Ventajas en los 0.063in (1.6m m) del caso para 10s El cuerpo del paquete para 10s, considera Techbrief TB334 |
300 260 |
°C °C |
Paquete
Oferta común (venta caliente)
Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
HD74LS139P | 6181 | RENESAS | 11+ | INMERSIÓN |
HD74LS240P | 5282 | RENESAS | 14+ | DIP-20 |
HD74LS245P | 9670 | RENESAS | 16+ | INMERSIÓN |
HD74LS273P | 5485 | HITACHI | 13+ | DIP-20 |
HD74LS32P-E | 11345 | RENESAS | 16+ | DIP-14 |
HD74LS85P | 8284 | RENESAS | 14+ | INMERSIÓN |
HD74LS86P | 12694 | RENESAS | 14+ | DIP-14 |
HDSP-F201-DE000 | 2694 | AVAGO | 12+ | INMERSIÓN |
HEF4001BT | 25000 | 16+ | SOP-14 | |
HEF40106BT | 47000 | 13+ | COMPENSACIÓN | |
HEF4011BT | 48000 | 16+ | SOP-14 | |
HEF4013BP | 15250 | 94+ | DIP-14 | |
HEF4016BT | 89000 | 16+ | SOP-15 | |
HEF4017BT | 35000 | 16+ | SOP-16 | |
HEF4051BP | 9941 | 12+ | DIP-16 | |
HEF4071BP | 21072 | 12+ | INMERSIÓN | |
HEF4071BT | 98000 | 16+ | SOP-14 | |
HEF4094BP | 15321 | 10+ | DIP-16 | |
HEF4538BT | 14627 | 16+ | SOP-16 | |
HFA08TB60PBF | 11416 | VISHAY | 15+ | TO-220 |
HFBR-1312TZ | 499 | AVAGO | 15+ | ORIGINAL |
HFBR-1414TZ | 2747 | AVAGO | 16+ | CREMALLERA |
HFBR-1521Z | 2381 | AVAGO | 15+ | CREMALLERA |
HFBR-2316TZ | 472 | AVAGO | 15+ | INMERSIÓN |
HFBR-2521Z | 2432 | AVAGO | 15+ | CREMALLERA |
HFJ11-1G11E-L12RL | 6864 | HALO | 14+ | RJ45 |
HGDEPT031A | 5862 | MONTAÑAS | 09+ | SOT23PB |
HGTG20N60A4D | 8766 | FSC | 14+ | TO-247 |
HI1-5043-5 | 2403 | HARRIS | 01+ | DIP-16 |
HIH-4000-004 | 1201 | HONEYWELL | 15+ | SENSOR |

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
