Microprocesador de circuito de IC Integared de la electrónica del circuito del puente rectificador 2SK2009TE85IF
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 30 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Montaje en superficie SC-59-3
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Gama de temperaturas:
– 55°C a +150°C
término del pago:
T/T, Paypal, Western Union
Voltaje:
30V
Actual:
200mA
Paquete:
TO-236
Paquete de la fábrica:
Carrete
Punto culminante:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Introducción
Circuito de Integared del proveedor de IC China del chip CI de la electrónica del diodo de rectificador 2SK2009 (kilómetro)
Usos análogos del interruptor de los usos el cambiar de alta velocidad
¿Características?
• Alta impedancia de entrada.
• Voltaje bajo del umbral de la puerta: Vth = 0.5~1.5 V
• Épocas que cambian excelentes: tonelada = 0,06 ricachones de los μs (tipo.) = 0,12 μs (tipo.)
• Dren-fuente baja EN resistencia: Ω 1,2 del RDS (ENCENDIDO) = (tipo.)
• Pequeño paquete.
• Aumento-modo
Una parte de la lista común
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| RES 2010 330R el 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| RES 2010 68K el 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | SOSTENIDO | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORTE LOS 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
| CASQUILLO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| CASQUILLO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CACEROLA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| CASQUILLO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| CASQUILLO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| CASQUILLO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L el 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CASO 0805RC0805JR-073K3L del RES 3K3 el 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
| CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Grados máximos absolutos
Tj = 25C
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unión |
| voltaje de la Dren-fuente | VDS | 30 | V |
| voltaje de la Puerta-fuente | VGSS | ±20 | V |
| Corriente del dren de DC | Identificación | 200 | mA |
| Drene la disipación de poder | Paladio | 200 | mW |
| Temperatura de empalme | Tch | 150 | °C |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | Tstg | -55 a +150 | °C |
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