Componentes de Electrnic IC Chips Integrated Circuit IC del diodo de rectificador de S2A-E3/52T
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Componentes de Electrnic IC Chips Integrated Circuit IC del diodo de rectificador de S2A-E3-52T
Una parte de la lista común
C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
RES 2010 330R el 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
RES 2010 68K el 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
ACOPLADOR. PC817A | SOSTENIDO | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
TRANSPORTE LOS 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
C.I L6219DS | ST | 135 | SOP-24 |
CASQUILLO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
CASQUILLO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CACEROLA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
CASQUILLO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
RES RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
CASQUILLO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
CASQUILLO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
RES 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L el 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
CASO 0805RC0805JR-073K3L del RES 3K3 el 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
TRIAC BTA26-600BRG | ST | 628 | TO-3P |
CASQUILLO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Descripción
El R1LP0408C-C es un 4-Mbit que RAM estático organizó el × de 512 kword de 8 bits. R1LP0408 C-C Series ha realizado un rendimiento más de alta densidad, más alto y el bajo consumo de energía empleando la tecnología de proceso del Cmos (célula de memoria 6-transistor). El R1LP0408 C-C Series ofrece a energía baja la disipación de poder espera; por lo tanto, es conveniente para los sistemas de copia de seguridad de batería. Ha empaquetado en la COMPENSACIÓN de 32 pernos, 32 perno TSOP II.
Características
• Sola fuente de 5 V: ± el 10% de 5 V
• Tiempo de acceso: 55/70 ns (máximo)
• Disipación de poder: activo: recurso seguro del de 10 mW/MHz (tipo): µW 4 (tipo)
• Memoria totalmente estática. ningún reloj o estroboscópico que mide el tiempo requerido
• Igualdad de acceso y duraciones de ciclo
• Entrada y salida comunes de datos. salida del estado del tres
• Directamente TTL compatible. todas las entradas y salidas
• Operación de reserva de batería.
• Temperatura de funcionamiento: −20 a +70°C
Pin Arrangement

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC
