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Rectificadores superficiales del soporte de los diodos de rectificador de silicio del diodo de rectificador de S3D

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Diodo 200 V 3A Montaje en superficie SMC (DO-214AB)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Temperatura de funcionamiento:
-55°C a +150°C
Temperatura de almacenamiento:
-55°C a +150°C
Voltaje reverso del pico periódico máximo:
200V
Voltaje máximo del RMS:
140V
Voltaje de bloqueo máximo de DC:
200V
Corriente delantera media:
3.0A
Punto culminante:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introducción

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
IRGB4062DPBF 2391 IR 08+ TO-220
IRGP30B60KD-EP 3382 IR 12+ TO-247
IRGP35B60PDPBF 6397 IR 12+ TO-247
IRGP4063D 5721 IR 13+ TO-247
IRGP4066D-E 4088 IR 14+ TO-247
IRGP4068D 2462 IR 16+ TO-247
IRL2910STRLPBF 2533 IR 08+ TO-263
IRL540NPBF 6359 IR 10+ TO-220
IRLB3034PBF 5532 IR 16+ TO-220
IRLB4030PBF 6069 IR 14+ TO-220
IRLL014NTRPBF 7811 IR 14+ SOT-223
IRLL024NTRPBF 7882 IR 11+ SOT-223
IRLL110TRPBF 5894 IR 14+ SOT-223
IRLML2402TRPBF 71000 IR 15+ SOT-23
IRLML5103TRPBF 59000 IR 15+ SOT-23
IRLML6401TRPBF 74000 IR 16+ SOT-23
IRLR2905ZTRPBF 9854 IR 14+ TO-252
IRLR2908 27000 IR 14+ TO-252
IRLR3705ZPBF 4479 IR 15+ TO-252
IRLZ24NPBF 8789 IR 16+ TO-220
IRS2127STRPBF 15776 IR 11+ SOP-8
IRS2153DPBF 5795 IR 06+ DIP-8
IRS21864PBF 2604 IR 11+ DIP-14
IRS2304STRPBF 6016 IR 14+ SOP-8
IS42S16400F-6TLI 5692 ISSI 16+ TSOP
IS42S16400F-7TLI 4909 ISSI 15+ TSOP
IS42S32800D-7TL 2534 ISSI 11+ TSOP-86
IS43TR16256A-125KBLI 2578 ISSI 13+ FBGA
IS61LV25616AL-10TLI 4049 ISSI 16+ TSOP
IS61LV51216-10TLI 3010 ISSI 15+ TSSOP-44

S3A CON S3M

Rectificador de silicio de 3 amperios 50 a 1000 voltios

Características

• Para los usos superficiales del soporte

• Extremadamente - resistencia termal baja

• Selección y lugar fáciles

• El soldar de alta temperatura: 250°C por 10 segundos en los terminales

• Capacidad de gran intensidad

Grados máximos

• Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C

• Temperatura de almacenamiento: -55°C a +150°C

• Resistencia termal máxima; Empalme 10°C/W a llevar

Características eléctricas @ 25°C salvo especificación de lo contrario

Corriente delantera media SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) 3.0A TJ = 120°C
Sobretensión delantera máxima IFSM 100A 8.3ms, medio seno

Voltaje delantero instantáneo máximo

VF 1.20V IFM = 3.0A; TJ = 25°C*
Corriente máxima del revés de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC IR

10µA

250µA

TJ = 25°C

TJ = 125°C

Capacitancia de empalme típica CJ 60pF Medido en 1.0MHz, VR=4.0V

prueba del *Pulse: Μsec de la anchura de pulso 200, ciclo de trabajo el 2%

DO-214AB (SMCJ)

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