Disipación de poder planar del circuito de rectificador del diodo Zener del silicio de 1N4753A 18v 1 W
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Diodo Zener 36 V 1 W ±5% Orificio pasante DO-204AL (DO-41)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Disipación de poder:
1 W
TEMPERATURA DE EMPALME:
℃ 200
Temperatura de almacenamiento:
- 65 + al ℃ 200
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente:
170 K/W
Voltaje delantero en SI = 200 mA:
1,2 V
Paquete:
DO-41
Punto culminante:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Introducción
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
|
1N4727A… 1N4764A
DIODOS ZENER PLANARES DEL PODER DEL SILICIO
Grados máximos absolutos (TA = ℃ 25)
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Disipación de poder | Ptot | 1 1) | W |
| Temperatura de empalme | Tj | 200 | ℃ |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | TS | - 65 a + 200 | ℃ |
1) Válido a condición de que las ventajas en una distancia de 8 milímetros del caso se guardan en la temperatura ambiente.
Características en TA = ℃ 25
| Parámetro | Símbolo | Máximo. | Unidad |
| Empalme de la resistencia termal al aire ambiente | RthA | 170 1) | K/W |
| Voltaje delantero en SI = 200 mA | VF | 1,2 | V |
1) Válido a condición de que las ventajas en una distancia de 8 milímetros del caso se guardan en la temperatura ambiente.
Características de Breakdowm
Tj=constant (pulsado)
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