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El diodo de rectificador 1N4738A, HACE -41 diodos Zener planares del poder del silicio

El diodo de rectificador 1N4738A, HACE -41 diodos Zener planares del poder del silicio
El diodo de rectificador 1N4738A, HACE -41 diodos Zener planares del poder del silicio
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Diodo Zener 8,2 V 1 W ±5 % Orificio pasante DO-41
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Disipación de poder:
1 W
TEMPERATURA DE EMPALME:
℃ 200
Temperatura de almacenamiento:
- 65 + al ℃ 200
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente:
170 K/W
Voltaje delantero en SI = 200 mA:
1,2 V
Paquete:
DO-41
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introducción

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
LM339DR 40000 TI 11+ SOP-14
MMBD4148CC 20000 CJ 16+ SOT-23
NX1117C33Z 30000 11+ SOT-223
MCF51QE128CLK 4816 FREESCALE 13+ QFP
P80C32UBAA 9740 PHILIPS 16+ PLCC
X25043ST1 2050 XICOR 09+ SOP-8
LM3488MM/NOPB 790 TI 13+ MSOP-8
LM393P 38000 TI 14+ DIP-8
OP113ES 5860 ANUNCIO 16+ COMPENSACIÓN
XC95216-10PQG160I 200 XILINX 10+ QFP160
MT29F2G16ABAEAWP: E 6967 MICRÓN 14+ TSOP
OP177FSZ-REEL7 5900 ANUNCIO 15+ COMPENSACIÓN
P89LPC936FDH 10320 15+ TSSOP
XC7A50T-1CSG324I 60 XILINX 15+ BGA
TPS5124DBTR 5291 TI 15+ TSSOP-30
UA78M33CKCS 6831 TI 15+ TO-220
TL064IDT 10000 ST 15+ SOP-14
TPS61041DBVR 10000 TI 15+ SOT23-5
TPS5450DDAR 5882 TI 16+ SOP-8
TPS54610PWPR 3872 TI 15+ HTSSOP28
TL2844BDR-8 7291 TI 15+ SOP-8
TEMD5110X01 30000 VISHAY 14+ SMD
TPS73250DBVR 8928 TI 15+ SOT23-5
UC3844D8TR 21029 TI 16+ SOP-8
TS831-3ID 4103 TI 16+ MSOP-10
UPC451G2-E2-A 4827 NEC 15+ SOP-14
TLE2426CLPR 9732 TI 16+ TO-92
TPS2501DRCR 9827 TI 14+ QFN-10
UE06AB6 5242 ST 15+ QFP-64
TPS650250RHBR 8387 TI 16+ QFN32

1N4727A… 1N4764A

DIODOS ZENER PLANARES DEL PODER DEL SILICIO

Grados máximos absolutos (TA = ℃ 25)

Parámetro Símbolo Valor Unidad
Disipación de poder Ptot 1 1) W
Temperatura de empalme Tj 200 ℃
Gama de temperaturas de almacenamiento TS - 65 a + 200 ℃

1) Válido a condición de que las ventajas en una distancia de 8 milímetros del caso se guardan en la temperatura ambiente.

Características en TA = ℃ 25

Parámetro Símbolo Máximo. Unidad
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente RthA 170 1) K/W
Voltaje delantero en SI = 200 mA VF 1,2 V

1) Válido a condición de que las ventajas en una distancia de 8 milímetros del caso se guardan en la temperatura ambiente.

Características de Breakdowm

Tj=constant (pulsado)

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