diodo de rectificador 1N4004, diodo Zener de fines generales de los rectificadores 18v
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Diodo 400 V 1A Orificio Pasante DO-41/DO-204AC
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje reverso repetidor máximo:
400 V
Voltaje máximo del RMS:
280 V
Voltaje reverso de DC:
400 V
Voltaje delantero máximo @ 1,0 A:
1,1 V
Corriente reversa a carga plena máxima:
µA 30
Capacitancia de empalme típica:
15pF
Punto culminante:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Introducción
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Cantidad | Marca | D/C | Paquete |
| G30N60A4 | 1300 | FAIRCHILD | 15+ | TO-3P |
| M74HC137B1R | 1300 | ST | 16+ | INMERSIÓN |
| MB8421-12LP | 1300 | FUJITSU | 16+ | INMERSIÓN |
| MC33887DH | 1300 | FREESCAL | 14+ | HSOP-20 |
| MSM6242BRS | 1300 | EN | 14+ | DIP-18 |
| NE22 | 1300 | IR | 14+ | TO-220 |
| OPA134PA | 1300 | BB | 16+ | DIP-8 |
| OPA2134PA | 1300 | BB | 16+ | DIP-8 |
| TC4560BP | 1300 | TOS/NEC/H | 13+ | INMERSIÓN |
| 74HCT688N | 1320 | PHI | 15+ | INMERSIÓN |
| DM9161AEP | 1320 | DAVICOM | 16+ | QFP |
| M430F149IPM | 1320 | TI | 16+ | QFP64 |
| SN74HC645N | 1320 | TI | 14+ | DIP20 |
| BTA26-800B | 1325 | ST | 14+ | TO-3P |
| LT3508EFE | 1350 | LINEAR | 14+ | TSSOP16 |
| UM3750A | 1351 | UMC | 16+ | COMPENSACIÓN |
| MC34051D | 1388 | EN | 16+ | SOP16 |
| FQP5N50C | 1400 | FAIRCHILD | 13+ | TO-220 |
| IRFD420 | 1400 | IR | 15+ | DIP-4 |
| MAX1693EUB+ | 1400 | MÁXIMA | 16+ | MSOP10 |
| TLP3063F | 1400 | TOSHIBA | 16+ | INMERSIÓN |
| MBRF10100CT | 1420 | SSG | 14+ | TO-220 |
| VN920B | 1422 | ST | 14+ | SMD |
| 74HCT4538N | 1431 | 14+ | INMERSIÓN | |
| H5DU2562 | 1450 | HYNIX | 16+ | TSOP |
| CY8C26643-24AXI | 1455 | GRITO | 16+ | QFP |
| AO4710 | 1458 | AOS | 13+ | SOP8 |
| LH5116NA-10 | 1472 | SOSTENIDO | 15+ | COMPENSACIÓN |
| PAL007E | 1480 | PIONERO | 16+ | ZIP-25 |
| UCC27424DR | 1491 | TI | 16+ | SOP-8 |
1N4001 - 1N4007
Rectificadores de fines generales de 1,0 amperios
Características
• Caída de voltaje delantera baja.
• Alta capacidad de la sobretensión.
Grados máximos absolutos * TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidades |
| IO |
Corriente rectificada media. 375" longitud de la ventaja @ TA = 75°C |
1,0 | |
| si (oleada) |
Sobretensión delantera máxima sola mitad-seno-onda de 8,3 ms Sobrepuesto en la carga clasificada (método de JEDEC) |
30 | |
| Paladio |
Disipación total del dispositivo Reduzca la capacidad normal sobre 25°C |
2,5 20 |
W mW/°C |
| RθJA | Resistencia termal, empalme a ambiente | 50 | °C/W |
| Tstg | Gama de temperaturas de almacenamiento | -55 a +175 | °C |
| TJ | Temperatura de empalme de funcionamiento | -55 a +150 | °C |
los grados *These son los valores límites sobre los cuales la utilidad de cualquier dispositivo de semiconductor puede ser empeorada.
Características típicas
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