Enviar mensaje
Hogar > productos > chips CI electrónicos > Puente rectificador de Schottky del diodo de rectificador de MBRF20100CTG

Puente rectificador de Schottky del diodo de rectificador de MBRF20100CTG

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Matriz de diodos 1 par de cátodo común 100 V 10 A Orificio pasante TO-220-3 Paquete completo
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje del aislamiento del RMS:
4500 V
Índice del voltaje de cambio:
10000 V/s
Temperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento:
°C -65 a +175
Sobretensión reversa repetidor máxima:
0,5 A
Sobretensión máxima sin repetición:
150 A
Corriente delantera repetidor máxima:
20 A
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introducción

Oferta común (venta caliente)

Número de parte. Cantidad Marca D/C Paquete
BC847A 22000 14+ SOT23
AO4614 23145 AOS 14+ SOP8
MBTH10LT1G 24000 EN 14+ SOT-23
MBRB20100CT 24400 EN 16+ TO-263
SSM3K7002F 24500 TOSHIBA 16+ SOT-323
PZT3906 24700 PHILIPS 13+ SOT-223
BZX84C2V7LT1G ENCENDIDO 25000 EN 15+ SOT-23
DSS6NF31C223Q55B 25000 MURATA 16+ INMERSIÓN
HEF4093BT 25000 16+ COMPENSACIÓN
L78M05CDT 25000 ST 14+ TO-252
LM358DR 25000 TI 14+ COMPENSACIÓN
NDC7002N 25000 FAIRCHILD 14+ SOT163
PS2501-1 25000 NEC 16+ SOP-4
ST485BDR 25000 ST 16+ SO-8
TIP35C 25000 ST 13+ TO247
Z0607MA 25200 ST 15+ TO-92
W25Q80BVSSIG 25210 WINBOND 16+ SOP-8
SMF05CT1G 25410 EN 16+ SC70-6
SRV05-4.TCT 25780 SEMTECH 14+ SOT163
BZX84C5V1LT1G 25888 EN 14+ SOT-23
KBP310 26100 SEPT 14+ DIP-4
PCF8583P 27000 16+ DIP8
ER504 27111 PANJIT 16+ DO-201AD
L78L33ACZ 28000 ST 13+ TO-92
BC817-16LT1G 28000 EN 15+ SOT-23
LVR016K 28000 RAYCHEM 16+ INMERSIÓN
FDC604 28750 FAIRCHILD 16+ SOT23-6
L7812CD2T 28888 ST 14+ TO-263
BC546B 29000 FAIRCHILD 14+ TO-92
1N4148 30000 ST 14+ SOD123

MBRF20100CT prefirió el dispositivo

Rectificador del poder de SWITCHMODETM Schottky

RECTIFICADOR DE LA BARRERA DE SCHOTTKY

20 AMPERIOS, 100 VOLTIOS

El rectificador del poder de SWITCHMODE emplea el principio de la barrera de Schottky en un metal de la área extensa al diodo del poder del silicio. La geometría avanzada ofrece la construcción epitaxial con la estabilización del óxido y el contacto de la capa del metal. Adaptado idealmente para el uso como rectificadores en las fuentes de alimentación que cambian muy de baja tensión, de alta frecuencia, los diodos que ruedan libres y los diodos de la protección de la polaridad.

Características

• Empalme apaciguado óxido altamente estable

• Caída de voltaje delantera muy baja

• Duales hecha juego mueren construcción

• Alta capacidad de la temperatura de empalme

• Alta capacidad de dv/dt

• Capacidad excelente de soportar transeúntes reversos de la energía de la avalancha

• Guardring para la protección de la tensión

• UL de epoxy 94 V-0 @ 0,125 de las reuniones adentro

• Aislado eléctricamente. Ningún hardware del aislamiento requirió.

• El paquete Pb-libre es mecánico de Available*

Características mecánicas:

• Caso: De epoxy, moldeado

• Peso: 1,9 gramos (aproximadamente)

• Final: Todo el externo emerge resistente a la corrosión y las ventajas terminales son fácilmente Solderable

• Temperatura de la ventaja para los propósitos que sueldan: máximo 260°C por 10 segundos

GRADOS MÁXIMOS (por la pierna)

Grado

Símbolo

Valor

Unidad

Voltaje reverso repetidor máximo

Voltaje reverso máximo de trabajo

Voltaje de bloqueo de DC

VRRM

VRWM

VR

100

V

Corriente delantera rectificada media

(VR clasificado), TC = 133°C Dispositivo total

SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)

10

20

Corriente delantera repetidor máxima

(Valoró VR, onda cuadrada, 20 kilociclos), TC = 133°C

IFRM

20

Sobretensión máxima sin repetición

(Oleada aplicada en la media onda de las condiciones de carga clasificada, la monofásico, 60 herzios)

IFSM

150

Sobretensión reversa repetidor máxima (2,0 s, 1,0 kilociclos)

IRRM

0,5

Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento (nota 1)

TJ, Tstg

-65 a +175

°C

Índice del voltaje del cambio (VR clasificados)

dv/dt

10000

V/s

Voltaje del aislamiento del RMS (t = 0,3 segundos, ≤ el 30%, TA de la derecha = 25°C) (nota 2) por el cuadro 3

Viso1

4500

V

Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son grados de la tensión solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica. La exposición ampliada a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar a confiabilidad del dispositivo.

DIMENSIONES DEL PAQUETE

TO-220 FULLPAK

CASO 221D-03

PROBLEMA J

PRODUCTOS RELACIONADOS
Imagen parte # Descripción
0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 película gruesa Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A para la línea eléctrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

película SMD0402 Chip Resistors de 22R el 5% ERJ-2GEJ220X PANASONIC

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

Varistor SMD azul Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito a través del disco 20m m del agujero

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Transistor planar epitaxial de Pnp de rectificador de 2SB1261-TP 10W del silicio de fines generales del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

Mosfet polar Hiperfet TO264 300V 140A del poder de IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodos de la protección de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Rectificador MEGA bajo SOD123  de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Rectificador MEGA bajo SOD123 de la barrera de PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Los diodos de rectificador de la barrera de SK34SMA 3A SMD Schottky HACEN - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

Diodos superficiales del soporte TV de los diodos de avalancha del silicio de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envíe el RFQ
Común:
MOQ:
20pcs