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Mosfet de la energía baja del mosfet del poder del MOSFET del poder de IRFZ44NPBF que cambia

Mosfet de la energía baja del mosfet del poder del MOSFET del poder de IRFZ44NPBF que cambia
Mosfet de la energía baja del mosfet del poder del MOSFET del poder de IRFZ44NPBF que cambia
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Canal N 55 V 49A (Tc) 94W (Tc) Orificio pasante TO-220AB
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Corriente continua del dren, VGS @ 10V:
35 A
Pulsado drene el  actual:
160 A
Disipación de poder:
94 W
Factor que reduce la capacidad normal linear:
0,63 W/°C
Voltaje de la Puerta-a-fuente:
± 20 V
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introducción

Lista COMÚN

UPC1688G 3000 NEC 16+ SOT-143
VIPER32 3000 ST 16+ DIP-8
VN0300M 3000 VISHAY 16+ TO-92
VP0808 3000 VISHAY 14+ TO-92
ZX5T853G 3000 ZETEX 16+ SOT223
HEF4024BT 3001 PHILPS 16+ SO-14
L6565N 3002 ST 15+ INMERSIÓN
MCP1700T-3002E/TT 3002 MICROCHIP 16+ SOT-23
MCP1701AT-1802I/CB 3003 MICROCHIP 15+ SOT23-3
IRAMX20UP60A 3004 IR 12+ NA
74LVC1G384GW 3005 16+ SOT-353
TIP102 3008 ST 12+ TO-220
TPS3825-33DBVT 3008 TI 16+ SOT-153
H20R1202 3033 16+ TO-247
IRF7504TR 3050 IR 16+ MSOP-8
A7800 3100 AVAGO 16+ SOP-8
H21A1 3100 FAIRCHILD 16+ DIP-4
IRFB52N15D 3100 IR 14+ TO-220
RTD2660-GR 3100 REALTEK 16+ QFP128
SN75C23243DGGR 3100 TI 16+ TSSOP-48P
GT60N321 3114 TOSHIBA 15+ - A 3PL
BTS426L1 3120 16+ TO-263
CM1213-08 3121 CMD 15+ MSOP10
2N1893 3200 MOT 12+ TO-39
2SK386 3200 TOSHIBA 16+ TO-220F
74HC377PW 3200 12+ TSSOP
ADM706SARZ 3200 ANUNCIO 16+ COMPENSACIÓN
ADP3338-1.8 3200 ANUNCIO 16+ SOT223
BF513 3200 16+ SOT-23
BS801 3200 HOLTEK 16+ SOT23-6
CY7C68013A-128AXI 3200 CYPRESS 16+ LQFP
DS2431P 3200 MÁXIMA 14+ TSOC-6
FEP16DTA 3200 FSC 16+ TO-220
L78M06CDT-TR 3200 ST 16+ TO-252

IRFZ44N

Mosfet de la energía baja del mosfet del poder del MOSFET del poder que cambia

►Tecnología de proceso avanzada

►En-resistencia ultrabaja

►Grado dinámico de dv/dt

►temperatura de funcionamiento 175°C

►Transferencia rápida

►Completamente avalancha clasificada

Descripción

Los MOSFETs avanzados del poder de HEXFET® del rectificador internacional utilizan técnicas de proceso avanzadas para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja, combinada con la velocidad que cambia rápida y el diseño construido sólidamente del dispositivo para los cuales los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido, provee del diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

El paquete TO-220 se prefiere universal para todos los usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen a su aceptación amplia en la industria

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