Electrónica ICs Chip Integarted Circuts de los diodos de rectificador de DS90LV011ATMF/NOPB
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Una parte de la lista común
| DIODO BAS16,215 | 1634/A6W | SOT-23 | |
| C.I MC7915CTG | EN | RBPH30C | TO-220 |
| CASQUILLO 0603 47PF 50V 06035C470KAT2A | AVX | 1642 | SMD0603 |
| RES RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1636 | SMD0805 |
| C.I SN74HC08N | TI |
64CCGPK 64CDTHK |
DIP-14 |
| CASQUILLO 0805 100NF 50V el 5% CL21B104JBCNNNC | SAMSUNG | ACAHOSH | SMD0805 |
| CASQUILLO CER 0805 68PF 100V NP0 C0805C680J1GACTU | KEMET | 1603 | SMD0805 |
| C.I L7812CV | ST | 620 | TO-220 |
| MT2060F-2 | MICRÓN | 1606-A4 | QFN48 |
| SI9978DW-T1 | VISHAY | Y342AA | SOP-24 |
| AT91SAM7X128-AU | ATMEL | 1324 | QFP-100 |
| LTC3546EUFD#PBF | LINEAR | 5B/1J | QFN28 |
| M41T82RM6F | STM | EZ025 | SOP-8 |
| NCT75DR2G | EN | PXDJ | SOP-8 |
| FM25CL64B-G | CYPRESS | 1525 | SOP-8 |
| OPA2340UA | TI | 32D52 | SOP-8 |
| ADM2587EBRWZ | ADI | 1641 | SOP-20 |
| LAN8710Ai-EZK | SMSC | 1239 | QFN32 |
| M30260F8AGP#U3A | RENESAS | 63803 | QFP48 |
Característica
• Se ajusta al estándar de TIA/EIA-644-A
• tarifas que cambian de >400Mbps (200MHz)
• posición oblicua diferenciada máxima de 700 picosegundos (100 picosegundos de típico)
• retraso de propagación máximo de 1,5 ns
• Sola fuente de alimentación 3.3V
• señalización diferenciada de ±350 milivoltio
• Del poder protección apagado (salidas en DE TRIPLE ESTADO)
• Pinout simplifica la disposición del PWB
• Disipación de energía baja
• Paquete de SOT-23 5-Lead
• SOT-23 versión Pin Compatible con SN65LVDS1
• Fabricado con tecnología de proceso avanzada del Cmos
• Rango de operación de la temperatura industrial – (−40°C a +85°C)
Grados máximos absolutos
(1) voltaje de fuente (VDD) −0.3V a +4V
Voltaje de entrada de LVCMOS (TTL ADENTRO) −0.3V a +3.6V
Voltaje de salida de LVDS (OUT±) −0.3V a +3.9V
Cortocircuito 24mA actual de la salida de LVDS
Disipación de poder máxima del paquete @ +25°C
El paquete 902 mW de DBV reduce la capacidad normal del paquete 7,22 mW/°C de DBV sobre +25°C
Resistencia termal (θJA) 138.5°C/Watt
Temperatura de almacenamiento −65°C a +150°C
Temperatura de la ventaja – +260°C que suelda (sec 4.)
Temperatura de empalme máxima +150°C ESD
≥ 900V del ≥ 9kV EIAJ (0 Ω, 200 PF) de HBM de los grados (1,5 kΩ, 100 PF)
≥ directo 4kV del IEC del ≥ 2000V de CDM (0 Ω, 0 PF) (330 Ω, 150 PF)
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