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conductor diferenciado de alta velocidad DS90LV011ATMF/NOPB DS90LV011A del solo circuito integrado de 3V LVDS

fabricante:
Fabricante
Descripción:
1/0 conductor LVDS SOT-23-5
Categoría:
Chips de circuito integrado
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de fuente (VDD):
−0.3V a +4V
Voltaje de entrada de LVCMOS (TTL ADENTRO):
−0.3V a +3.6V
− del voltaje de salida de LVDS (OUT±):
-0.3V a +3.9V
Corriente del cortocircuito de la salida de LVDS:
24mA
Paquete de DBV:
7,22 mW/°C sobre +25°C
Punto culminante:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introducción

Solo conductor diferenciado de alta velocidad de DS90LV011A 3V LVDS


CARACTERÍSTICAS

• Se ajusta al estándar de TIA/EIA-644-A

• tarifas que cambian de >400Mbps (200MHz)

• posición oblicua diferenciada máxima de 700 picosegundos (100 picosegundos de típico)

• retraso de propagación máximo de 1,5 ns

• Sola fuente de alimentación 3.3V

• señalización diferenciada de ±350 milivoltio

• Del poder protección apagado (salidas en DE TRIPLE ESTADO)

• Pinout simplifica la disposición del PWB

• Disipación de energía baja (23 mW @ 3.3V típicos)

• Paquete de SOT-23 5-Lead

• SOT-23 versión Pin Compatible con SN65LVDS1

DESCRIPCIÓN

El DS90LV011A es un solo dispositivo del conductor de LVDS optimizado para los altos usos de la tarifa y de la energía baja de datos. El DS90LV011A es un conductor actual del modo permitiendo que la disipación de poder siga siendo baja incluso en el de alta frecuencia. Además, la corriente de falta del cortocircuito también se minimiza. El dispositivo se diseña para apoyar tarifas de datos superior a 400Mbps (200MHz) que utiliza tecnología diferenciada de la señalización de la baja tensión (LVDS).

(1) todos los typicals se dan para: VDD = +3.3V y TA = +25°C.

(2) estos parámetros son especificados por diseño.

Los límites se basan en el análisis estadístico del funcionamiento del dispositivo sobre PVT

(proceso, voltaje, temperatura) gamas.

(3) el CL incluye capacitancia de la punta de prueba y del accesorio.

(4) forma de onda del generador para todas las pruebas salvo especificación de lo contrario:

f = 1 megaciclo, ZO = 50Ω, ≤ 1 ns, ≤ 1 ns (10%-90%) del tr del tf.

(5) tSKD1, |tPLHD del − del tPHLD|, es la diferencia de la magnitud en tiempo de retraso diferenciado de propagación entre el borde que va del positivo y el borde que va negativo del mismo canal.

LISTA COMÚN


BFR91 2100 PHI 16+ SOT-173
ICP-N15 1780 ROHM 14+ TO-92
BC817 15000 14+ SOT-23
ICL232CBEZT 2460 INTERSIL 13+ SOP-16
AP40T03GH 1600 APEC 14+ TO-252
CD74HC4053E 5850 TI 13+ INMERSIÓN
FW82801ER SL742 3460 INTEL 14+ BGA
CC1150RSTR 1380 TI 15+ QFN16
CG82NM10 QMJM 130 INTEL 14+ BGA
BAV21W-V-GS08 15000 VISHAY 15+ SOD123
HEF4001BT 1520 15+ COMPENSACIÓN
D431000ACZ-70LL 2175 NEC 15+ INMERSIÓN
BD4745G-TR 5500 ROHM 15+ SOT23-5
ATMEGA32U4-AU 2500 ATMEL 13+ QFP-44
IRFB38N20DPBF 1500 IR 14+ TO-220
ATMEGA328P-AU 2500 ATMEL 16+ QFP-32
BA6287F-E2 2300 ROHM 16+ SOP-8
FDS9945 2200 FSC 15+ SOP-8
MBR20100CTG 10000 EN 16+ TO-220
DPA425SN 6900 PODER 13+ TO-263
AD8331ARQZ 2450 ANUNCIO 16+ SSOP
1SS389 12000 TOSHIBA 16+ SOD-523
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