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Rectificador superficial de la barrera de Schottky del soporte del diodo de barrera de SS32 Schottky

Rectificador superficial de la barrera de Schottky del soporte del diodo de barrera de SS32 Schottky
Rectificador superficial de la barrera de Schottky del soporte del diodo de barrera de SS32 Schottky
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Diodo 20 V 3A Montaje en superficie SMA
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Actual rectificada delantero medio máximo:
3,0 A
Sobretensión delantera máxima (método de JEDEC):
80,0 A
Resistencia termal máxima, empalme a ambiente:
17 ℃/W
Capacitancia de empalme típica:
300 PF
Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme:
℃ -50 a +125
Gama de temperaturas de almacenamiento:
℃ -65 a +150
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introducción

Rectificador superficial de la barrera de Schottky del soporte del diodo de barrera de SS32 Schottky

Características

• Perfil bajo en el paquete de SMC

• Pérdida de la energía baja, eficacia alta

• Caída de voltaje delantera baja

• El paquete plástico tiene clasificación 94V-0 de la inflamabilidad del laboratorio de los suscriptores

• RoHS obediente

Datos mecánicos

Caso: Plástico moldeado de JEDEC DO-214AB (SMC)

Terminales: La soldadura plateó, solderable por MIL-STD-750, método 2026

Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo

Peso: 0,007 onzas, 0. 21 gramos

Grados máximos y características eléctricas (TAmbient =25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

Símbolos Descripción SS32 SS33 SS34 SS35 SS36 SS38 SS39 SS310 Unidad
VRMS Voltaje máximo del RMS 14 21 28 35 42 56 63 70 V
VRRM Voltaje reverso máximo repetidor máximo 20 30 40 50 60 80 90 100 V
VDC Voltaje de bloqueo máximo de DC 20 30 40 50 60 80 90 100 V
YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) La media máxima adelante rectificó actual (FIG.1) 3,0
IFSM Sobretensión delantera máxima (método de JEDEC) 80,0
VF Voltaje delantero instantáneo máximo en 3.0A 0,50 0,70 0,85 V
IR Revés máximo de DC actual en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA =25°C 2,0 mA
TA =100°C 20,0
RθJA Resistencia termal máxima, empalme a ambiente 17 °C/W
CJ Capacitancia de empalme típica (NOTA) 300 PF
TJ Gama de temperaturas de funcionamiento de empalme -50 a +125 -50 a +150 °C
TSTG Gama de temperaturas de almacenamiento -65 a +150 °C

NOTAS: Medido en 1MHz y el voltaje reverso del applier de 4.0VDC.

Curvas de características típicas

Dimensiones en las pulgadas (milímetros)

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