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RECTIFICADOR RÁPIDO de la RECUPERACIÓN de la recuperación de RS1M-13-F de rectificador del SOPORTE SUPERFICIAL rápido del diodo 1.0A

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Diodo 1000 V 1A Montaje en superficie SMA
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Corriente de salida rectificada media @ TT = 120°C:
1,0 A
Sobretensión delantera máxima sin repetición:
30 A
Caída de voltaje delantera:
1,3 V
Capacitancia total típica:
15pF
Resistencia termal típica, empalme al terminal:
20 °C/W
Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento:
°C -65 a +150
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introducción

RECTIFICADOR RÁPIDO de la RECUPERACIÓN de la recuperación de RS1M-13-F de rectificador del SOPORTE SUPERFICIAL rápido del diodo 1.0A

Características

  • ¿? ¿De cristal apaciguada mueren construcción?
  • ¿Tiempo de recuperación rápido para la eficacia alta?
  • ¿Grado de sobrecarga de la oleada al pico 30A?
  • ¿Adaptado idealmente para la asamblea automatizada?
  • Final sin plomo/RoHS obediente

Datos mecánicos

Caso: ¿SMA/SMB?

Material del caso: Plástico moldeado. ¿Clasificación de la inflamabilidad de la UL que valora 94V-0?

Sensibilidad de humedad: ¿Llano 1 por J-STD-020C?

Terminales: Galjanoplastia sin plomo (Matte Tin Finish). ¿Solderable por MIL-STD-202, método 208?

Polaridad: ¿Banda del cátodo o muesca del cátodo?

Peso de SMA: ¿0,064 gramos (de aproximado)?

Peso de SMB: 0,093 gramos (de aproximado)

Grados máximos y características eléctricas @ TA = 25°C salvo especificación de lo contrario

Carga la monofásico, de la media onda, de 60Hz, resistente o inductiva.

Para la carga capacitiva, reduzca la capacidad normal de actual por el 20%.

Característica Símbolo RS1 A/AB RS1 B/BB RS1 D/DB

RS1

G/GB

RS1

J/JB

RS1

K/KB

RS1

M/MB

Unidad

Voltaje reverso repetidor máximo

Voltaje reverso máximo de trabajo

Voltaje de bloqueo de DC (nota 5)

VRRM

VRWM

VR

50 100 200 400 600 800 1000 V
Voltaje reverso del RMS VR (RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V

Corriente de salida rectificada media

@ TT = 120°C

IO 1,0
Sobretensión delantera máxima sin repetición, sola media onda sinusoidal 8.3ms sobrepuesta en carga clasificada IFSM 30
Caída de voltaje delantera @ SI = 1.0A VFM 1,3 V

Corriente reversa máxima @ TA = 25°C

en el voltaje de bloqueo clasificado de DC (nota 5) @ TA = 125°C

IRM

5,0

200

µA
Tiempo de recuperación reversa (nota 3) trr 150 250 500 ns
Capacitancia total típica (nota 2) CT 15 PF
Resistencia termal típica, empalme al terminal (nota 1) RθJT 20 °C/W
Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento Tj, TSTG -65 a +150 °C

Notas:

1. Válido a condición de que los terminales se guardan en la temperatura ambiente.

2. Medido en 1.0MHz y el voltaje reverso aplicado de 4.0V DC.

3. Condiciones de prueba reversas de recuperación: SI = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A. Véase el cuadro 5.

4. Revisión 13.2.2003 de RoHS. Las exenciones de cristal y das alta temperatura de la soldadura se aplicaron.

5. Prueba del pulso de la duración corta usada para minimizar efecto de la uno mismo-calefacción.

, B, D, G, J, K, paquete de M Suffix Designates SMA

El AB, BB, DB, GB, JB, KB, sufijo del MB señala el paquete de SMB

Información de marcado

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