Rectificador ultrarrápido de la recuperación FEP30JP-E3/45 de rectificador de diodos de rectificador del cátodo común dual rápido del diodo
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
FEP30AP con FEP30JP
Rectificador ultrarrápido del cátodo común dual
CARACTERÍSTICAS
• Empalme apaciguado de cristal del microprocesador
• Tiempo de recuperación ultrarrápido
• Pérdidas que cambian bajas, eficacia alta
• Resistencia termal baja
• Alta capacidad de oleada delantera
• °C de la inmersión 260 de la soldadura, 40 s
• Componente del acuerdo a RoHS 2002/95/EC y WEEE 2002/96/EC
USOS TÍPICOS
Para el uso en el rectificador de alta frecuencia de cambiar las fuentes de alimentación del modo, los inversores, los diodos que andan sin embragar, los convertidores de DC-a-DC, y el otro uso de la transferencia del poder.
DATOS MECÁNICOS
Caso: TO-247AD (TO-3P)
El epóxido resuelve el grado de la inflamabilidad V-0 de la UL 94
Terminales: Ventajas estañadas, solderable mates por J-STD-002 y JESD22-B102
El sufijo E3 para el grado de consumidor, resuelve la prueba de la barba de la clase 1A de JESD 201
Polaridad: Según lo marcado
Montaje del esfuerzo de torsión: 10 en-libras de máximo
CARACTERÍSTICAS PRIMARIAS
| SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 30 A |
| VRRM | 50 V a 600 V |
| IFSM | 300 A |
| trr | 35 ns, 50 ns |
| VF | 0,95 V, 1,3 V, 1,5 V |
| Máximo de TJ. | °C 150 |
GRADOS MÁXIMOS (TA = °C 25 a menos que se indicare en forma diferente)
| PARÁMETRO | SÍMBOLO | FEP 30AP | FEP 30BP | FEP 30CP | FEP 30DP | FEP 30FP | FEP 30GP | FEP 30HP | FEP 30JP | UNIDAD |
| Voltaje reverso máximo repetidor máximo | VRRM | 50 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | V |
| Voltaje máximo del RMS | VRMS | 35 | 70 | 105 | 140 | 210 | 280 | 350 | 420 | V |
| Voltaje de bloqueo máximo de DC | VDC | 50 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | V |
| La media máxima adelante rectificó actual en TC = el °C 100 | SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 30 | ||||||||
| Onda sinusoidal delantera máxima del ms de la sobretensión 8,3 sola media sobrepuesta en carga clasificada por el diodo | IFSM | 300 | ||||||||
| Almacenamiento de funcionamiento y gama de temperaturas | TJ, TSTG | - 55 a + 150 | °C | |||||||
GRADOS Y CURVAS de CARACTERÍSTICAS (TA = °C 25 a menos que se indicare en forma diferente)
DIMENSIONES del ESQUEMA del PAQUETE en las pulgadas (milímetros)
TO-247AD (TO-3P)
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. | Q'ty | MFG | D/C | Paquete |
| LTC1605CSW | 1670 | LT | 10+ | COMPENSACIÓN |
| MBR0540T1G | 40000 | EN | 16+ | CÉSPED |
| LM7912CT | 5389 | NSC | 14+ | TO-220 |
| LM324PWR | 30000 | TI | 14+ | TSSOP-14 |
| LMV7271MFX | 4372 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
| OPA228U | 6820 | TI | 16+ | COMPENSACIÓN |
| MAX13488EESA+ | 5150 | MÁXIMA | 16+ | COMPENSACIÓN |
| NTA7002NT1G | 25000 | EN | 16+ | BORRACHÍN |
| L7980ATR | 3906 | ST | 15+ | SOP8 |
| MC33161DMR2G | 14672 | EN | 16+ | MSOP |
| A3212EUA-T | 2000 | ALLEGRO | 13+ | TO-92S |
| LMC7211BIM5X | 10000 | NSC | 14+ | SOT-23-5 |
| PESD12VS2UT | 38000 | 16+ | BORRACHÍN | |
| MUN5211DW1T1G | 25000 | EN | 16+ | SOT-363 |
| MRF24J40MA-I/RM | 2054 | MICROCHIP | 14+ | SMD |
| LTV817S-TA1-D | 25000 | LITEON | 16+ | COMPENSACIÓN |
| PIC18F26K20-I/SO | 4503 | MICROCHIP | 16+ | COMPENSACIÓN |
| MC7809BTG | 4458 | EN | 13+ | TO-220 |
| ATMEGA8L-8AU | 5162 | ATMEL | 16+ | QFP32 |
| PCF8575TS/1 | 13140 | 12+ | SSOP | |
| MC74HC374ADWR2 | 30000 | EN | 10+ | COMPENSACIÓN |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G MORDIÓ Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK existencias nuevas y originales
Memoria Flash ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL de IC de DSPIC30F3011-30I/PT
ACCIÓN NUEVA Y ORIGINAL DE IR2110PBF
Chip CI de memoria Flash de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrado dual de la memoria de Spi del patio del PEDAZO de destello serial del microprocesador 3V los 8M de W25Q80DVSNIG
Módulo IRF520 de la impulsión PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 módulo TTL RS-485 al módulo TTL a 485