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Diodo de emisión infrarrojo del poder más elevado TSML1020, 950 nanómetro, GaAlAs/GaAs Diodo de rectificador

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Emisor de infrarrojos (IR) 940nm 1.2V 100mA 3mW/sr @ 20mA 24° 2-SMD, ala de gaviota
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
realidad virtual:
5 V
SI:
100 mA
IFM:
200 mA
IFSM:
1,0 A
Picovoltio:
190 mW
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introducción

Diodo de emisión infrarrojo del poder más elevado, 950 nanómetro, GaAlAs/GaAs


Características
• Alto poder radiante excepcional
• Voltaje delantero bajo
• Conveniente para la operación actual del alto pulso
• Ángulo del ϕ = del ± 12° de la intensidad baja
• Λp máximo de la longitud de onda = 950 nanómetro
• Alta confiabilidad
• Serie hecha juego del fototransistor: TEMT1000
• Configuraciones terminales versátiles
• Componente sin plomo

Descripción
Las series TSML1000 son diodos de emisión infrarrojos de la eficacia alta en GaAlAs en la tecnología del GaAs moldeada en paquete claro de SMD.

Esta tecnología representa el mejor funcionamiento para el poder radiante bajo condiciones del pulso, voltaje delantero y confiabilidad

Características típicas (Tamb = °C 25 salvo especificación de lo contrario)


LISTA COMÚN

DLW21HN900SQ2L 7950 MURATA 16+ SMD
FAN5331SX 1950 FSC 15+ SOT23-5
AD5160BRJZ50-RL7 2450 ANUNCIO 15+ SOT23-8
DTC114ESA 3450 ROHM 16+ TO-92S
HT7130-1 2460 HOLTEK 13+ SOT-89
ATMEGA16-16AU 2500 ATMEL 15+ QFP-44
74HCT04D 7500 15+ COMPENSACIÓN
26PCAFA6D 3000 HONEYWELL 15+ SORBO
ATMEGA168PA-AU 2500 ATMEL 16+ QFP
BYT230PIV-400 900 ST 15+ COMPENSACIÓN
74F827N 7500 16+ INMERSIÓN
BC817-16 15000 15+ SOT-23
AD711JN 2450 ANUNCIO 15+ INMERSIÓN
DS9034PCX 4350 DALLAS 16+ PWB
DAC08Q 1825 ANUNCIO 15+ DIP-16
CY8C27543-24AXI 2500 CYPRESS 16+ QFP44
AOZ1031AI 1600 AOS 15+ SOP-8
ATMEGA8515-16AU 2500 ATMEL 15+ QFP-44
74LVC373APW 7500 15+ TSSOP
INA114BU 1780 TI 16+ SOP-16
BZV55-C36 9000 15+ LL34
BC639 15000 FSC 15+ TO-92 ‘
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MOQ:
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