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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Módulo superficial del diodo de rectificador del diodo de rectificador de diodos de la protección del ESD del soporte SMF10A-GS08 1n4007

Módulo superficial del diodo de rectificador del diodo de rectificador de diodos de la protección del ESD del soporte SMF10A-GS08 1n4007

Módulo superficial del diodo de rectificador del diodo de rectificador de diodos de la protección del ESD del soporte SMF10A-GS08 1n4007
Módulo superficial del diodo de rectificador del diodo de rectificador de diodos de la protección del ESD del soporte SMF10A-GS08 1n4007
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Módulo superficial del diodo de rectificador del diodo de rectificador de diodos de la protección del ESD del soporte SMF10A-GS08 1n4007
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Pinza 17V 11.8A Ipp Tvs Diodo Montaje Superficial DO-219AB (SMF)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Corriente máxima del pulso:
vea las “características eléctricas”
Pico de potencia de pulso:
1000/600 W
Sobretensión delantera máxima:
20 A
Inmunidad del ESD:
± 30 kilovoltios
Resistencia termal:
180 K/W
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introducción

Diodos superficiales de la protección del ESD del soporte

CARACTERÍSTICAS

• Para los usos montados superficiales

• Paquete discreto

• Optimizado para los usos de la protección del LAN

• Ideal para la protección del ESD de las líneas de datos de acuerdo con IEC 61000-4-2 (IEC 801-2)

• Ideal para la protección de EFT de las líneas de datos de acuerdo con IEC 61000-4-4 (IEC 801-4)

• CRNA de la ESD-protección. ± del IEC 61000-4-2 30 kilovoltios del contacto de ± de la descarga 30 kilovoltios de descarga del aire

• Resistencia ampliada baja de la oleada, capacidad de fijación con abrazadera excelente

• Capacidad con una forma de onda de los μs de 10/1000, tarifa de la repetición (ciclo de trabajo) del poder de pulso máximo de 200 W: el 0.01% • Tiempo de respuesta muy rápido

• El soldar de alta temperatura garantizó: 260 °C/10 s en los terminales

• e3 - Sn

• AEC-Q101 calificó

• Obediente a RoHS 2002/95/EC directivo

y de acuerdo a WEEE 2002/96/EC

CARACTERÍSTICAS TÍPICAS

LISTA COMÚN

MB6S 20000 TOSHIBA 16+ COMPENSACIÓN
MC3403DT 5158 TI 16+ COMPENSACIÓN
MC74HC04ADR2G 40000 EN 16+ COMPENSACIÓN
MT9M021IA3XTC 748 EN 15+ IBGA
MX25L25635FZ2I-10G 6000 MXIC 14+ WSON8
MC74HC4066DR2 30000 MOT 16+ COMPENSACIÓN
MCP23S17-E/SS 5200 MICROCHIP 16+ SSOP
MP9720DS 5861 P.M. 16+ COMPENSACIÓN
PT100S8 100 NIEC 13+ MÓDULO
LTM10C209A 448 TOSHIBA 15+ LCD
MLP1N06CLG 28000 EN 16+ TO-220
LT1461BCS8-2.5 9862 LT 15+ SOP-8
MOC3023SR2M 10000 FAIRCHILD 16+ COMPENSACIÓN
MJ15025G/MJ15024G 2125 EN 14+ TO-3
P4SMAJ12A 25000 PANJIT 16+ DO-214AC
NCP3334DADJR2G 12800 EN 16+ SOP-8
XC4VFX60-11FFG1152C 100 XILINX 15+ BGA
LPC1342FHN33 4122 15+ HVQFN-33
LT1934ES6-1 11534 LINEAR 16+ SOT-23-6
MB91F267APMC-GE1 3714 FUJITSU 14+ QFP
PESD12VS1UB 25000 16+ CÉSPED
PESD5V0S1UB 25000 16+ CÉSPED
LM2903VDR2G 10000 EN 12+ SOP-8
LPC1311FHN33 3642 11+ HVQFN-33
LM2903DR2G 40000 EN 14+ SOP-8
LM358D2G 25000 EN 14+ SOP-8
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