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Diodo de rectificador PMBT3904,235, transistor componente de la electrónica de NPN que cambia

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) NPN 40 V 200 mA 300 MHz 250 mW Montaje en superficie TO-236AB
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Colector-base:
60 V
voltaje del Colector-emisor:
40 V
voltaje de la Emisor-base:
6 V
Disipación de poder total:
250 mW
Temperatura de almacenamiento:
°C −65 +150
Punto culminante:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introducción

Transistor de transferencia de NPN PMBT3904


CARACTERÍSTICAS

• Capacidad IC de la corriente de colector = 200 mA

• voltaje del Colector-emisor VCEO = 40 USOS del V.

• Transferencia y amplificación generales.

DESCRIPCIÓN

Transistor de transferencia de NPN en un paquete plástico SOT23.

Complemento de PNP: PMBT3906.

MARCA

TIPO NÚMERO CÓDIGO DE MARCADO (1)
PMBT3904 *1A

LOS DATOS CUBREN LA SITUACIÓN

DOCUMENTO

SITUACIÓN (1)

PRODUCTO

SITUACIÓN (2)

DEFINICIÓN
Hoja de datos objetiva Desarrollo Este documento contiene datos de la especificación objetiva para el desarrollo de productos.
Hoja de datos preliminares Calificación Este documento contiene datos de la especificación preliminar.
Hoja de datos del producto Producción Este documento contiene la especificación de producto.

LISTA COMÚN

PIC16F874-04/PQ 4888 MICROCHIP 10+ QFP
MIC5209-5.0YU 6622 MICREL 16+ TO-263
BQ27510DRZR-G2 3235 TI 13+ QFN
MOC8111 10000 FSC 16+ INMERSIÓN
NZT44H8 5460 FAIRCHILD 16+ SOT-223
6RI30E-080 1200 FUJI 15+ MÓDULO
M93S46-WMN6P 4959 STM 14+ COMPENSACIÓN
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