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Diodos de detector superficiales de Schottky de la microonda del soporte del diodo de rectificador HSMS-2862-TR1

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Diodo RF Schottky - Conexión Serie 1 Par 4V SOT-23-3
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal, Western Union
Especificaciones
Voltaje inverso máximo:
4,0 V
TEMPERATURA DE EMPALME:
150 ºC
Temperatura de almacenamiento:
-65 a 150 °C
Temperatura de funcionamiento:
°C 65 a 150
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introducción

Características

• Paquetes superficiales del ‑ 143 del soporte SOT-23/SOT

• Paquetes del ‑ miniatura 363 de SOT-323 y del BORRACHÍN

• Alta sensibilidad de la detección:

hasta 50 mV/µW en 915 megaciclos

hasta 35 mV/µW en 2,45 gigahertz

hasta 25 mV/µW en 5,80 gigahertz

• FIT baja (fracaso a tiempo) Rate*

• Opciones de la cinta y del carrete disponibles

• Configuraciones únicas en el paquete superficial del soporte SOT-363

– flexibilidad del aumento

– espacio de ahorro del tablero

– reduzca el coste

• HSMS-286K puso a tierra las ventajas de centro proporciona un aislamiento más alto del DB hasta 10

• Diodos hechos juego para el funcionamiento constante

• Conductividad mejor termal para la disipación de mayor potencia

• Sin plomo

Descripción

La familia del ‑ 286x del HSMS de Avago de DC perjudicó los diodos de detector se ha diseñado y se ha optimizado para el uso a partir de 915 megaciclos a 5,8 gigahertz. Son ideales para los usos de la etiqueta de RF/ID y del RF así como detección de señal grande, modulación, RF a la conversión de DC o duplicación del voltaje.

Disponible en diversas configuraciones del paquete, esta familia de diodos de detector proporciona bajas soluciones costo a una amplia variedad de problemas del diseño. Las técnicas de la fabricación de Avago aseguran que cuando dos o más diodos se montan en un solo paquete superficial del soporte, están tomados de sitios adyacentes en la oblea, asegurando el grado más alto posible de partido.

Grados máximos absolutos, TC = +25°C, solo diodo

Símbolo Parámetro Unidad SOT-23/143 SOT-323/363
PIV Voltaje inverso máximo V 2,0 2,0
TJ Temperatura de empalme °C 150 150
TSTG Temperatura de almacenamiento °C -65 a 150 -65 a 150
TOP Temperatura de funcionamiento °C -65 a 150 -65 a 150
θjc Resistencia termal [2] °C/W 500 150

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