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Hogar > productos > chips CI electrónicos > Diodos de detector diagonales cero de Schottky del soporte superficial del diodo de rectificador de HSMS-2852-TR1G

Diodos de detector diagonales cero de Schottky del soporte superficial del diodo de rectificador de HSMS-2852-TR1G

Diodos de detector diagonales cero de Schottky del soporte superficial del diodo de rectificador de HSMS-2852-TR1G
Diodos de detector diagonales cero de Schottky del soporte superficial del diodo de rectificador de HSMS-2852-TR1G
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Diodo RF Schottky - Conexión Serie 1 Par 2V SOT-23-3
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal, Western Union
Especificaciones
Voltaje inverso máximo:
2,0 V
TEMPERATURA DE EMPALME:
150 ºC
Temperatura de almacenamiento:
-65 a 150 °C
Temperatura de funcionamiento:
°C 65 a 150
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introducción

Características

• Paquetes superficiales del soporte SOT-23/SOT-143

• Paquetes miniatura SOT-323 y SOT-363

• Alta sensibilidad de la detección: hasta 50 mV/µW en 915 megaciclos

• Ruido de parpadeo bajo: -162 dBV/Hz en 100 herzios

• FIT baja (fracaso a tiempo) Rate*

• Opciones de la cinta y del carrete disponibles

• Diodos hechos juego para el funcionamiento constante

• Conductividad mejor termal para la disipación de mayor potencia

• Opción sin plomo disponible

Descripción

La familia del HSMS-285x de Agilent de diodos de detector cero de Schottky del prejuicio se ha diseñado y se ha optimizado para el uso en la pequeña señal (Pin <-20 dBm="">

Nota importante:

Para los usos del detector con los niveles de la energía de entrada mayores que – el dBm 20, utiliza la serie de HSMS-282x en las frecuencias debajo de 4,0 gigahertz, y la serie de HSMS-286x en las frecuencias sobre 4,0 gigahertz. La serie de HSMS-285x NO SE RECOMIENDA para estos usos del nivel de mayor potencia.

Grados máximos absolutos, TC = +25°C, solo diodo

Símbolo Parámetro Unidad SOT-23/143 SOT-323/363
PIV Voltaje inverso máximo V 2,0 2,0
TJ Temperatura de empalme °C 150 150
TSTG Temperatura de almacenamiento °C -65 a 150 -65 a 150
TOP Temperatura de funcionamiento °C -65 a 150 -65 a 150
θjc Resistencia termal [2] °C/W 500 150

Parámetros típicos, solo diodo

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