NDT456P Transistor de efecto de campo con diodo rectificador de modo de mejora de canal P
fabricante:
Semi / Semi catalizador
Descripción:
Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero en el caso de las em
Categoría:
Componentes electrónicos
Precio:
Negotiate
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje de la Dren-fuente:
30 voltios
Voltaje de la Puerta-fuente:
±20 V
Drene actual:
±7.5 A
Gama de temperaturas del funcionamiento y de almacenamiento:
-65 a 150 °C
Resistencia termal, Empalme-a-Ambien:
42 °C/W
Resistencia termal, empalme-a-caso:
12 °C/W
Punto culminante:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Introducción
NDT456P Transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal P
Características
* -7,5 A, -30 V. RDS ((ON) = 0,030 W @ VGS = -10 V RDS ((ON) = 0,045 W @ VGS = -4,5 V
* Diseño de celdas de alta densidad para RDS extremadamente bajos ((ON)
* Alta potencia y capacidad de manejo de corriente en un paquete de montaje de superficie ampliamente utilizado.
Descripción general
Los transistores de efecto de campo de potencia de modo de mejora del canal P de Power SOT se producen utilizando la tecnología DMOS patentada de Fairchild, de alta densidad de células.Este proceso de muy alta densidad está especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado y proporcionar un rendimiento de conmutación superiorEstos dispositivos son particularmente adecuados para aplicaciones de bajo voltaje como la gestión de energía de computadoras portátiles, circuitos alimentados por baterías y control de motores de CC.
| El símbolo | Parámetro | No obstante lo dispuesto en el apartado 1, | Unidades |
| V.El DSS | Voltado de la fuente de drenaje | - 30 años. | V. |
| V.El GSS | Voltado de la fuente de la puerta | ± 20 | V. |
| TJ, TSTG | Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento | Entre 65 y 150 | °C |
| RqJA | Resistencia térmica, unión con el ambiente (nota 1a) | 42 | °C/W |
| RqJC | Resistencia térmica, unión al estuche (nota 1) | 12 | °C/W |
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