El diodo de rectificador de fines generales de los transistores (silicio de PNP) Pb−Free empaqueta BC807-25LT1G
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Transistor bipolar (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 300 mW
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
negotiation
Forma de pago:
T/T Western Union, Paypal
Especificaciones
VCEO:
−45 V
VCBO:
−50 V
VEBO:
−5.0 V
IC:
mAdc −500
Punto culminante:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Introducción
BC807−16LT1,
BC807−25LT1, BC807−40LT1
Fines generales
Transistores
Silicio de PNP
Características
• Los paquetes de Pb−Free están disponibles
Los grados máximos son esos valores más allá de qué daño del dispositivo puede ocurrir. Los grados máximos se aplicaron al dispositivo son valores límites de la tensión individual (condiciones de funcionamiento no normales) y son inválidos simultáneamente. Si se exceden estos límites, la operación funcional del dispositivo no se implica, el daño puede ocurrir y la confiabilidad puede ser afectada.
GRADOS MÁXIMOS
| Grado | Símbolo | Valor | Unidad |
| Colector - voltaje del emisor | VCEO | −45 | V |
| Colector - voltaje bajo | VCBO | -50 | V |
| Emisor - voltaje bajo | VEBO | −5.0 | V |
| − de la corriente de colector continuo | IC | -500 | mAdc |
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