Diodos de transferencia de alta velocidad superficiales duales del diodo de transferencia de Smd de los terminales del diodo de transferencia del soporte tres BAV70
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte superficial de array de diodos TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 del cátodo 75 V 215mA del campo com
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
negotiation
Forma de pago:
T/T Western Union, Paypal
Especificaciones
Voltaje reverso:
70 V
Corriente delantera:
200 mA
Sobretensión delantera máxima:
500 mA
Disipación de poder:
225 mW
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente:
556 o C/W
TEMPERATURA DE EMPALME:
150 o C
Punto culminante:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Introducción
BAW56/BAV70/BAV99 Plástico-encapsulan los diodos de transferencia
Características
►Velocidad que cambia rápida
►Paquete superficial del soporte adecuado idealmente para la inserción automática
►Para los usos que cambian de fines generales
►Alta conductancia yo
Datos mecánicos
Caso: SOT-23, plástico moldeado
Terminales: Solderable por MILL-STD-202, método 208
Polaridad: Vea el diagrama
Marca: BAW56: A1, BAV70: A4, BAV99: A7
Peso: BORRACHÍN de 0,008 gramos (aproximadamente)
| Tipo número | Símbolo | BAW56/BAV70/BAV99 | Unidades |
| Voltaje reverso | VR | 70 | V |
| Corriente delantera | SI | 200 | mA |
| Sobretensión delantera máxima | IFM (oleada) | 500 | mA |
| Disipación de poder | Paladio | 225 | mW |
| Empalme de la resistencia termal al aire ambiente | RθJA | 556 | o C/W |
| Temperatura de empalme | TJ | 150 | o C |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | TSTG | -55 a 150 | o C |
GRADOS Y CURVAS CARACTERÍSTICAS (BAW66/BAV70/BAV99)
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