el MOSFET del canal N de 500V 5A avanzó el proceso de alto voltaje AOD5N50 del MOSFET
fabricante:
Fabricante
Descripción:
Soporte TO-252 (DPAK) de la superficie 104W (Tc) del canal N 500 V 5A (Tc)
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
Negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Vds:
℃ de 600V@150
Identificación (en VGS=10V):
5 A
RDS (ENCENDIDO) (en VGS=10V):
< 1="">
¡UIS probó!:
100%
¡Rg probó!:
100%
Punto culminante:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Introducción
AOD5N50 500V, MOSFET del canal N 5A
Descripción general
El AOD5N50 se fabrica usando un proceso de alto voltaje avanzado del MOSFET que se diseñe para entregar niveles del funcionamiento y de la robustez en usos populares de AC-DC. Proporcionando el RDS bajo (encendido), CISS y Crss junto con capacidad garantizada de la avalancha este dispositivo pueden ser adoptados rápidamente en nuevos y existentes diseños off-line de la fuente de alimentación.
Resumen del producto
VDS ℃ de 600V@150
D (en VGS=10V) 5A
RDS (ENCENDIDO) (en VGS=10V)< 1="">
¡El 100% UIS probado!
¡Rg 100% probado!
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS
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MOQ:
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