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Rectificadores de silicio 1N5408

fabricante:
Fabricante
Descripción:
Diodo 1000 V 3A a través del agujero DO15/DO204AC
Categoría:
chips CI electrónicos
Precio:
negotiation
Forma de pago:
T/T, Western Union, Paypal
Especificaciones
Corriente nominal -- Nennstrom:
3 A
Voltaje reverso máximo repetidor Periodische Spitzensperrspannung:
50… 1000 V
Estuche de plástico Kunststoffgehäuse:
~ DO-201
Peso aproximadamente -- Gewicht CA.:
1 g
Empaquetado estándar grabado en paquete de la munición:
véase la página 16
Gegurtet estándar de Lieferform en Munición-paquete:
siehe Seite 16
Punto culminante:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introducción

Rectificadores de silicio Silizium Gleichrichter

Corriente nominal -- Nennstrom 3 A

Voltaje reverso máximo repetidor 50… 1000 V

Periodische Spitzensperrspannung

Estuche de plástico ~ DO-201

Kunststoffgehäuse

Peso aproximadamente -- Gewicht CA 1 g

El material plástico tiene clasificación 94V-0 de la UL

Klassifiziert de Gehäusematerial UL94V-0

Empaquetado estándar grabado en paquete de la munición véase la página 16

Gegurtet estándar de Lieferform en Munición-paquete siehe Seite 16

Grados máximos Grenzwerte

Tipo

Tipo

Voltaje reverso máximo repetidor Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V]

Voltaje reverso máximo Stoßspitzensperrspannung de la oleada

VRSM [V]

1N 5400 50 50
1N 5401 100 100
1N 5402 200 200
1N 5403 300 300
1N 5404 400 400
1N 5405 500 500
1N 5406 600 600
1N 5407 800 800
1N 5408 1000 1000

La media máxima adelante rectificó actual, R-carga ¿TA = 50?? ℃ IFAV 3 A 1)

Dauergrenzstrom en el mit de Einwegschaltung R-pasado

Pico repetidor adelante actual f > 15 herzios IFRM 30 A 1)

Periodischer Spitzenstrom

Sobretensión delantera máxima, onda sinusoidal de 50/60 herzios media ¿TA = 25?? ℃ IFSM A 180/200

Eine del für de Stoßstrom sino-Halbwelle de 50/60 herzios

Grado para fundirse -- < 10="" ms="">¿Grenzlastintegral, t A = 25?? ℃ i2 t 166 A2 s

Temperatura de empalme de funcionamiento -- Sperrschichttemperatur Tj -- ¿50… +175? ℃

Temperatura de almacenamiento -- Lagerungstemperatur TS -- ¿50… +175? ℃

Características Kennwerte

Voltaje delantero -- Durchlaflspannung ¿Tj = 25? ℃ SI = 3 A VF< 1="">

Salida actual -- Sperrstrom ¿Tj = 25? ℃ VR = VRRM IR< 10="">

Empalme de la resistencia termal al aire ambiente RthA< 25="" K=""> 1)

Wärmewiderstand Sperrschicht -- umgebende Luft

1) válido, si las ventajas se guardan en la temperatura ambiente en una distancia de 10 milímetros del caso

Gültig, wenn muere Anschlußdrähte en auf Umgebungstemperatur de 10 milímetros Abstand von Gehäuse gehalten para werden

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